公开(公告)号：CN118769165A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411019298.0

申请日：2024-07-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏镜枫 ,  陈天勇 ,  任李贤 ,  江佳 ,  田郭平 ,  谭骁洪 ,  罗俊

IPC: B25B11/00

Abstract: 本发明公开了一种X射线检测夹具，包括底板和盖板，所述底板与所述盖板均为透明材质，所述底板朝向所述盖板的一侧具有若干第一腔体，所述盖板朝向所述底板的一侧具有若干第二腔体，若干所述第二腔体与若干所述第一腔体一一对应地设置，每一所述第一腔体均与一所述第二腔体共同形成一单元格，所述底板中设有防静电组件，所述防静电组件与每一所述单元格均相连，所述底板与所述盖板之间通过固定结构固定；本发明设置能够相合的底板与盖板以将待观测元器件固定于二者之间，底板与盖板均为透明材质，不用将元器件从夹具中取出也可观测到元器件上的信息，且一次可以观测到多个元器件的信息；同时底板中设有防静电组件避免静电于夹具中累积。

公开(公告)号：CN117352469A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311411464.7

申请日：2023-10-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏镜枫 ,  田郭平 ,  杨迁 ,  谭骁洪 ,  罗俊

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的高过载能力压接式IGBT功率模块，包括相对设置的第一铜板和第二铜板，所述第一铜板和第二铜板之间设置有IGBT芯片和FRD芯片；IGBT芯片和FRD芯片的下端分别通过一第一烧结银层与第一铜板连接，上端分别通过一第二烧结银层连接有钼片，所述钼片上连接有相变铜层；所述相变铜层的上表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽中集成有相变材料；所述相变铜层上设置有碟簧，所述碟簧的上端与第二铜板连接。本发明中，通过优化钼片结构并设计一种全新结构的相变铜层，将相变材料集成在相变铜层上，减小了芯片的热应力并提高了IGBT功率模块的热导率；有效增加了IGBT功率模块抗温度冲击能力和寿命。