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公开(公告)号:CN117293126A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311518052.3
申请日:2023-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/15 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域,公开了一种陶瓷微模组,包括从上至下焊接连接的第一陶瓷基板、第二陶瓷基板,第一陶瓷基板包括底板、连接于底板两侧的向第一陶瓷基板方向凸起的金属围坝,底板、金属围坝组成一个设有容纳腔的结构,容纳腔内设有从上至下焊接连接的第二多层基板、第一多层基板,第一多层基板的下表面焊接于第一陶瓷基板的上表面。本发明解决了现有技术存在的难以实现高密度集成及射频信号垂直互联时同时兼顾高密度布线等问题。
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公开(公告)号:CN113054392A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110210541.7
申请日:2021-02-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供了一种可调耦合度双向耦合器,包括平行的主微带线与副微带线,主微带线一端为输入端,另一端为直通端,还包括耦合微带线,所述耦合微带线垂直于副微带线且一端连接在副微带线中点处,另一端形成耦合端;所述耦合微带线中设有两个电阻a、b;耦合微带线一侧设有阻抗开路线。与传统结构相比,此对称结构保证了信号不论流向,都能在耦合端实现相同的耦合度;同时调节电阻的设计方式可以便捷的在一定范围内调节耦合度,从而适应不同用户的需求,能广泛适用于收发电路中,同时可以进行灵活的调节,从而拓宽了这种耦合器的应用范围。
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公开(公告)号:CN107834233A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201710886991.1
申请日:2017-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
CPC classification number: H01R12/58 , H05K1/0243
Abstract: 本发明提供了一种垂直过渡结构,包括射频同轴连接器、微波多层印制板。所述微波多层印制板从上到下分别为第一接地平面、带状线层、第二接地平面、第三接地平面。第一接地平面与带状线层之间设置有一个垂直过渡盲孔;射频同轴连接器设置于第一接地平面上,其内导体向下延伸到垂直过渡盲孔内且不超过垂直过渡盲孔深度;第二接地平面层正对垂直过渡盲孔的区域增加开孔。本发明实现了一种全屏蔽式、可靠性较高、工作频带宽的垂直过渡结构。
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公开(公告)号:CN106785258A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611067615.1
申请日:2016-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
CPC classification number: H01P1/203 , H01P11/007
Abstract: 本发明涉及电子技术领域,提供一种宽阻带微带线低通滤波器及设计方法。本发明将折叠阶梯阻抗低通滤波器电感线段按照某些形状排布,使折叠阶梯阻抗低通滤波器阻带中的零点移动至与寄生通带极点相同或者附近的位置,产生抵消效果,从而使原本的寄生通带变成阻带以达到拓展滤波器阻带带宽的目的,合适的形状排布会同时取得缩小体积的效果。本发明将微带线进行直角折弯,形成宽阻带微带线低通滤波器;将第1电感单元到第n电感单元中至少一个设置保持微带线带外零点与极点抵消的电感抵消结构,电感抵消结构是电感单元折叠而成;电感抵消结构四边同时平行x轴与Y轴。
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公开(公告)号:CN112349691B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202011038859.3
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/552 , H05K1/09 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种气密高导热LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构,所述LCP封装基板包括LCP任意层互联多层基板、粘接层和金属背板;所述金属背板通过粘接层粘接在所述LCP任意层互联多层基板的底面;所述LCP任意层互联多层基板包括:n层图形化金属线路层,表面的第一层图形化金属线路层的最外围至少一条边上,分布有所述LCP封装基板对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形;位于相邻图形化金属线路层之间的n‑1层绝缘介质层;位于绝缘介质层中且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽;贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的气密封装结构的LCP封装基板。
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公开(公告)号:CN114256575A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202111507243.0
申请日:2021-12-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道小型化微波组件及其金属基复合基板结构,其中多通道小型化微波组件包括金属基复合基板结构以及第一外盖板、第二外盖板、内盖板、腔体、射频连接器和微带传输线;第一外盖板、第二外盖板与腔体之间采用激光封焊方式焊接,内盖板与腔体之间采用内盖板安装螺钉安装,金属基复合基板结构与腔体之间采用复合基板安装螺钉安装;射频连接器与腔体采用焊接方式进行装配,射频连接器与微带传输线采用焊接方式进行装配,微带传输线与金属基复合基板结构之间采用金丝级联的方式连接。本发明可满足微波类裸管芯的装配需求,该微波组件具有良好的气密性和散热性。
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公开(公告)号:CN110784270B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201910964179.5
申请日:2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明涉及射频电路领域,公开了一种BGA端口射频传输性能检测装置及检测方法。包括射频接头、用于过渡的射频基板、BGA球,所述射频接头具有用于与射频测试仪连接的接口,所述射频接头与射频基板的一面连接,所述射频基板的另一面设置BGA球,所述BGA球的阵列排布形式和复合基板的BGA焊盘的射频端口阵列对应;所述BGA球通过射频弹性互连结构与复合基板上对应的射频端口连接实现射频互连。本发明实现了对安装有BGA封装射频产品的复合基板裸板射频传输性能的预先检测,完成装配前裸板的射频性能筛选工作;并且频率测试范围扩展至现有技术的4倍以上。本发明通过与合适的自动机器相集成,即可实现自动定位、测试和筛选功能,大大提升检测筛选效率。
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公开(公告)号:CN112349695A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011039690.3
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种四层布线LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构,所述LCP封装基板包括:从表面至底面分布的4层图形化金属线路层,依次为第一层图形化金属线路层、第二层图形化金属线路层、第三层图形化金属线路层和第四层图形化金属线路层;位于相邻图形化金属线路层之间的绝缘介质层;位于绝缘介质层中且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽;贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的气密封装结构的LCP封装基板。
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公开(公告)号:CN112349693A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011038906.4
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种采用BGA接口的宽带射频系统级封装结构,包括:有机材料任意层互联封装基板、BGA焊球、芯片、金属围框和金属盖板;所述BGA焊球焊接于有机材料任意层互联封装基板底面,作为所述宽带射频系统级封装结构对外的二次级联I/O接口;所述宽带射频系统级封装结构具有A、B、C三种封装尺寸;A、B、C三种封装尺寸具有如下关系:Lc=2×Wb+d=2×La+d;Wc=Lb=2×Wa+d。本发明利用有机材料实现任意层互联封装基板,实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的系统级封装结构,并提供三种封装尺寸以最大化利用PCB模板布线空间。
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公开(公告)号:CN112349691A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011038859.3
申请日:2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/552 , H05K1/09 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种气密高导热LCP封装基板、制造方法及多芯片系统级封装结构,所述LCP封装基板包括LCP任意层互联多层基板、粘接层和金属背板;所述金属背板通过粘接层粘接在所述LCP任意层互联多层基板的底面;所述LCP任意层互联多层基板包括:n层图形化金属线路层,表面的第一层图形化金属线路层的最外围至少一条边上,分布有所述LCP封装基板对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形;位于相邻图形化金属线路层之间的n‑1层绝缘介质层;位于绝缘介质层中且开口朝向所述第一层图形化金属线路层的多个盲槽;贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔。本发明实现了一种能够满足多芯片、高气密要求、高电磁屏蔽、高可靠互联的系统级封装要求的气密封装结构的LCP封装基板。
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