一种CCGA高铅焊柱的激光植柱方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114515903A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202210209542.4

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明涉及雷达电子功能部件制造技术领域,具体涉及一种CCGA高铅焊柱的激光植柱方法,通过去除CCGA原有高铅焊柱,在CCGA陶瓷基板焊盘上印焊膏,拾取高铅焊柱,放置于对应焊盘,完成植柱,激光焊接,形成高铅焊柱与陶瓷基板间的良好焊点,焊点清洗等工序完成制备,该植柱工艺制备的CCGA具有1000个以上的高铅焊柱,焊接时间≤10min,整个器件共面性≤0.15mm,器件整体焊柱歪斜度≤5°,外围单个焊柱的歪斜度≤5°,焊接精度≤±10μm,焊柱与陶瓷基板焊盘焊点空洞率≤5%,该CCGA在高低温循环实验(‑55℃~100℃)1200个循环之后无短路、开路,信息交换功能正常,这种激光植柱方法植柱效率高、合格率高、一致性好、可靠性高。

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