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公开(公告)号：CN110187185A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910614021.5
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种导电胶接触电阻稳定性监测装置及方法，所述装置包括：电路基板、电源以及滑动变阻器，其中，电路基板的表面设有第一导带，所述第一导带通过待测导电胶承载有电极，且所述电极与待测导电胶电连接；所述电源的第一极、电路基板上的第一导带、待测导电胶、电极、滑动变阻器以及所述电源的第二极依次电连接成电性回路。应用本发明实施例，可以监测导电胶的电连接稳定性。
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公开(公告)号：CN113714623A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110983688.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: B23K26/00 , B23K26/21 , B23K26/32 , B23K26/70 , B23K103/10
Abstract: 本发明涉及铝基组件壳体技术领域，具体涉及一种适用于激光焊接的铝基组件的管壳材料、组件壳体及其封装工艺，管壳材料组分包括：Fe：0.2‑0.5％，Si：10‑20％，Mg：0.05‑0.18％，Mn：0.20‑0.38％，Zn：0.01‑0.03％，其余为Al和微量杂质。材料点焊参数和封焊参数允许范围大，与铝基材料可焊性良好，易形成致密、高强的激光焊缝，封焊后组件气密性能满足GJB 548B‑2005要求，且批产合格率可达90％。
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公开(公告)号：CN110102848A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910509461.4
申请日：2019-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/363 , B23K101/42
Abstract: 本发明公开了一种钎焊方法，包括如下步骤：步骤1：喷涂助焊剂形成预涂焊料；步骤2：组件的清洗、风干；步骤3：配装组件；步骤4：钎焊；步骤5：检测、清洗以及风干。本发明的优点在于，该钎焊方法通过自动化喷涂助焊剂形成预涂焊片，不仅能够精确控制助焊剂的表面涂覆量，保证钎透率，防止涂覆过量导致助焊剂残留物多，提高喷涂质量和效率，使得钎焊工作者无需接触助焊剂，身体伤害小，还能高效契合智能化生产，从而提高整个钎焊生产的效率，满足大批量组件自动化、智能化生产的需求。
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公开(公告)号：CN109981091B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910269881.X
申请日：2019-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种微带延时线高精度相位调节装置包括延时线微带板，所述延时线微带板上设置有第一微带延时组件、第二微带延时组件、第三微带延时组件、第四微带延时组件和第五微带延时组件；所述第一微带延时组件测试调节1λ位延时态与基态；所述第二微带延时组件测试调节2λ位延时态与基态；所述第三微带延时组件测试调节4λ位延时态与基态；所述第四微带延时组件测试调节8λ位延时态与基态；所述第五微带延时组件测试调节8λ位延时态与基态；相邻所述微带延时组件之间通过微带传输线连接；本发明通过各所述微带延时组件可灵活组合调相实现延时线相位45度内高精度相位调节。
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公开(公告)号：CN109994373B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910303046.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及微组装领域，具体涉及一种微组装裸芯片连接及返修方法，包括如下步骤：A、装配连接；B、施压固定；C、烧结；D、钎焊；E、检查；F、分解；G、返修；本发明的优点在于：能够很方便的实现裸芯片的微组装，工艺简单、质量可控、性能稳定，芯片与钼铜载体之间封装界面耐高温、连接强度高，采用本方法制造出的组件，芯片连接界面的熔化温度远大于600℃，受温度循环和其他工艺(如返修等)的热冲击影响极小，只要芯片未受到损伤，即可通过适当的返修工艺进行更换，可满足军用电子产品中单片电路、混合电路、多芯片电路以及微波集成电路组件等等的高可靠性制造的需要，大大降低了芯片的报废率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111112842A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911344103.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种去金搪锡方法及应用，包括如下步骤：设置激光器参数，波长300～355nm，光斑直径0.012～0.015，平均能量1.2～2.0W，频率32～40KHZ，标刻速率200～350mm/s，路径间隔0.005～0.008mm；按照激光标刻路径对所述电子元器件表面标刻1～3遍，完成电子元器件表面金层的去除；按照激光标刻路径对所述电子元器件表面标刻1～3遍，完成对电子元器件表面的活化；对活化后的电子元器件表面进行搪锡处理，本发明加工效率高，一致性好，去金彻底，操作简单，去金搪锡效果的可控性及一致性好，对镍层没有损伤和环境污染，表面浸润性好，后续焊接易操作。
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公开(公告)号：CN110116247A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910401767.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: B23K1/00
Abstract: 本发明公开一种雷达电子产品连接器的钎焊方法，涉及电子工业中的软钎焊领域，包括以下步骤：(1)组装：将预涂焊环套进连接器待焊面上，将连接器装入组件壳体的连接器孔内，配装成待焊连接器模块；所述预涂焊环表面预涂覆占焊环重量1.5％～3.5％的助焊剂；所述助焊剂包括由8-12％的固体松香制成；(2)钎焊：将待焊连接器模块置于钎焊设备中，进行钎焊，设置钎焊预热区，将组件加热到150～170℃，保温2～5min，接着在最高温为195～210℃钎焊区进行回流焊，最后出炉冷却至室温。本发明的有益效果在于：采用一种预涂助焊剂的焊环，实现焊锡与助焊剂的量的精确控制，整个过程无需手工涂覆助焊剂，生产效率得到了大幅度的提高。
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公开(公告)号：CN109994373A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910303046.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及微组装领域，具体涉及一种微组装裸芯片连接及返修方法，包括如下步骤：A、装配连接；B、施压固定；C、烧结；D、钎焊；E、检查；F、分解；G、返修；本发明的优点在于：能够很方便的实现裸芯片的微组装，工艺简单、质量可控、性能稳定，芯片与钼铜载体之间封装界面耐高温、连接强度高，采用本方法制造出的组件，芯片连接界面的熔化温度远大于600℃，受温度循环和其他工艺(如返修等)的热冲击影响极小，只要芯片未受到损伤，即可通过适当的返修工艺进行更换，可满足军用电子产品中单片电路、混合电路、多芯片电路以及微波集成电路组件等等的高可靠性制造的需要，大大降低了芯片的报废率。
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公开(公告)号：CN109981091A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910269881.X
申请日：2019-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种微带延时线高精度相位调节装置包括延时线微带板，所述延时线微带板上设置有第一微带延时组件、第二微带延时组件、第三微带延时组件、第四微带延时组件和第五微带延时组件；所述第一微带延时组件测试调节1λ位延时态与基态；所述第二微带延时组件测试调节2λ位延时态与基态；所述第三微带延时组件测试调节4λ位延时态与基态；所述第四微带延时组件测试调节8λ位延时态与基态；所述第五微带延时组件测试调节8λ位延时态与基态；相邻所述微带延时组件之间通过微带传输线连接；本发明通过各所述微带延时组件可灵活组合调相实现延时线相位45度内高精度相位调节。
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公开(公告)号：CN202871765U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220620067.1
申请日：2012-11-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型公开了一种吸料工装及键合机，该吸料工装包括管壳托盘，该管壳托盘开设有若干吸槽，每个吸槽的底壁开设有一个通孔，每个吸槽的底壁为吸槽面，每个吸槽的底壁开设有一个椭圆槽，每个通孔开设在相应的椭圆槽的底壁上。本实用新型的优点在于：该吸料工装为多芯片微波模块自动键合的可扩展吸料装置，可满足批量化、多品种自动键合对吸料装置吸料能力高、安装固定方式灵活以及特殊底面结构可靠真空吸附等特殊要求。
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