公开(公告)号：CN117476830A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311814056.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 倪毅强 ,  谢燊坤 ,  张树琨 ,  刘红辉 ,  庞超 ,  任艳

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  G01N27/30

Abstract: 本申请涉及一种光电极微探针及其制备方法。本申请的光电极微探针包括发光二极管结构。发光二极管结构包括蓝宝石衬底，以及依次层叠设置于蓝宝石衬底的表面上的分布式布拉格反射镜层、n型氮化镓层、量子阱层及p型氮化镓层。上述光电极微探针中，在传统的光电极微探针用发光二极管结构中，设置了位于n型氮化镓层和蓝宝石衬底之间的分布式布拉格反射镜层，该分布式布拉格反射镜层能够对量子阱层发出的朝向蓝宝石衬底的光进行反射，有效的降低发光二极管结构中蓝宝石衬底的漏光，进而减少光电极微探针中的背面和侧面漏光，增强光电极微探针的选区性。

公开(公告)号：CN116106728A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310391513.9

申请日：2023-04-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 倪毅强 ,  张志鑫 ,  陈选龙 ,  杨施政 ,  何亮 ,  刘宇锋 ,  庞超

IPC: G01R31/311

Abstract: 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。

公开(公告)号：CN115330700A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210897252.3

申请日：2022-07-28

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 庞超 ,  倪毅强 ,  杨施政 ,  陈选龙 ,  何亮 ,  张志鑫 ,  刘宇锋

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/60

Abstract: 本申请涉及一种失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。采用本方法能够提高芯片内部失效点定位精度。

公开(公告)号：CN115423753A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210930187.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 倪毅强 ,  庞超 ,  杨施政 ,  陈选龙 ,  何亮 ,  张志鑫 ,  刘宇锋

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/70 ,  G06T5/00 ,  G01J5/00 ,  G01J5/48

Abstract: 本申请涉及一种方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像，通过预处理提高集成电路的发射率。对红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图。根据目标振幅图确定集成电路的失效点的水平位置信息。根据目标相位图确定集成电路的失效点的深度信息。目标振幅图表征了集成电路失效点的水平位置信息，目标振幅图表征了集成电路的失效点的深度信息。结合水平信息和深度信息，可以确定集成电路失效点的具体位置。通过预处理提高集成电路的发射率，提高了材料表面红外发射率，提高了对集成电路失效点的定位精度。

公开(公告)号：CN116106728B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310391513.9

申请日：2023-04-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 倪毅强 ,  张志鑫 ,  陈选龙 ,  杨施政 ,  何亮 ,  刘宇锋 ,  庞超

IPC: G01R31/311

Abstract: 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。