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公开(公告)号:CN119300447A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411232910.2
申请日:2024-09-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。金刚石半导体器件包括:器件主体;金电极,金电极设置在器件主体的表面;介质层,介质层设置在器件主体的表面,介质层围绕金电极;黏附金属层,黏附金属层分别连接金电极和介质层,黏附金属层用于引出电极。通过在器件主体的表面设置围绕金电极的介质层,并设置黏附金属层分别连接金电极和介质层,通过黏附金属层和金电极来引出电极,由于介质层与器件主体之间的黏附性较强,且黏附金属层与介质层之间的黏附性较强,因此,黏附金属层可以起到对金电极进行加固的作用,减少在后续进行外部封装互连时,出现金电极脱落的情况。
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公开(公告)号:CN117476830A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311814056.6
申请日:2023-12-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种光电极微探针及其制备方法。本申请的光电极微探针包括发光二极管结构。发光二极管结构包括蓝宝石衬底,以及依次层叠设置于蓝宝石衬底的表面上的分布式布拉格反射镜层、n型氮化镓层、量子阱层及p型氮化镓层。上述光电极微探针中,在传统的光电极微探针用发光二极管结构中,设置了位于n型氮化镓层和蓝宝石衬底之间的分布式布拉格反射镜层,该分布式布拉格反射镜层能够对量子阱层发出的朝向蓝宝石衬底的光进行反射,有效的降低发光二极管结构中蓝宝石衬底的漏光,进而减少光电极微探针中的背面和侧面漏光,增强光电极微探针的选区性。
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公开(公告)号:CN119517141A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411603075.9
申请日:2024-11-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种固态硬盘的功耗能效测试方法、存储介质和程序产品。所述方法包括:在固态硬盘满足第一测试条件的情况下,针对固态硬盘的多个测试状态中每个测试状态,在多个采集时刻分别对固态硬盘的功耗参数进行采集,并得到固态硬盘在测试状态下的功耗测试结果;针对固态硬盘的多个能效指标中每个能效指标,在固态硬盘满足能效指标对应的测试状态的情况下,在多个采样时刻分别对能效指标的值进行采集,并综合能效指标在多个采样时刻下的指标值,得到固态硬盘在能效指标下的能效测试结果;基于功耗测试结果和能效测试结果,得到固态硬盘的功耗能效测试结果。采用本方法能够实现对多种类型固态硬盘在复杂场景下功耗能效的全面精准测试。
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