公开(公告)号：CN109494154A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811352998.6

申请日：2018-11-14

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 王蓉 ,  童小东 ,  张世勇 ,  徐建星 ,  郑鹏辉 ,  谭为

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制备氮化镓基电子器件。与现有技术相比，本发明将氟原子引入氮化镓材料中，由于氟原子可以与氮化镓材料中的原生氢杂质有效结合为缺陷复合体(F-H复合体)，并且F-H复合体的结合能非常高，难以在电应力、热应力或者辐照条件下分解，从而提高了氮化镓基电子器件的可靠性；且该方法具有简单、可控性好、可操作性强的优点，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN112271137B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202011204720.1

申请日：2020-11-02

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 张世勇 ,  徐建星 ,  王蓉 ,  郑鹏辉 ,  童小东

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带结构，从而使得部分漏电通道中电子跃迁需要能量增加，最终达到漏电流减小，漏电通道得到钝化的效果。上述自由原子会填充并消除高电子迁移率晶体管内部的缺陷，从而将高电子迁移率晶体管中多种漏电通道钝化为同一种漏电通道，提升对高电子迁移率晶体管的钝化效果，提升高电子迁移率晶体管的响应度。

公开(公告)号：CN112271217A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011203509.8

申请日：2020-11-02

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 张世勇 ,  徐建星 ,  王蓉 ,  郑鹏辉 ,  童小东

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种抗冲击场效应晶体管，包括场效应晶体管本体和至少一个具有饱和电流的外延层；场效应晶体管本体包括第一活性层，栅极电极，源极电极，以及漏极电极；外延层包括第二活性层，阳极，以及阴极；栅极电极，源极电极和漏极电极中至少一个电连接有外延层；外延层的饱和电流小于场效应晶体管本体的饱和电流，外延层的饱和电流大于场效应晶体管本体的工作电流。通过设置该外延层，可以使得流经场效应晶体管本体的电流同时经过外延层。当受到外界大功率冲击下，会先对该外延层造成影响，使得该外延层可以实现对电流的限制，保护场效应晶体管本体不会烧毁。本发明还提供了一种抗冲击低噪声放大器，同样具有上述有益效果。

公开(公告)号：CN112271137A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011204720.1

申请日：2020-11-02

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 张世勇 ,  徐建星 ,  王蓉 ,  郑鹏辉 ,  童小东

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带结构，从而使得部分漏电通道中电子跃迁需要能量增加，最终达到漏电流减小，漏电通道得到钝化的效果。上述自由原子会填充并消除高电子迁移率晶体管内部的缺陷，从而将高电子迁移率晶体管中多种漏电通道钝化为同一种漏电通道，提升对高电子迁移率晶体管的钝化效果，提升高电子迁移率晶体管的响应度。

公开(公告)号：CN109494154B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201811352998.6

申请日：2018-11-14

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 王蓉 ,  童小东 ,  张世勇 ,  徐建星 ,  郑鹏辉 ,  谭为

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制备氮化镓基电子器件。与现有技术相比，本发明将氟原子引入氮化镓材料中，由于氟原子可以与氮化镓材料中的原生氢杂质有效结合为缺陷复合体(F‑H复合体)，并且F‑H复合体的结合能非常高，难以在电应力、热应力或者辐照条件下分解，从而提高了氮化镓基电子器件的可靠性；且该方法具有简单、可控性好、可操作性强的优点，易于工业化生产。