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公开(公告)号：CN112349339A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011238337.8
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于电子和辐射物理技术领域，具体涉及一种适用于存储器的瞬时电离辐射效应远程动态测试系统和测试方法，包括上位机、信号转换单元、主控模块、存储器DUT模块和3种通用仪器设备，以及相应的连接线缆，采用适当的抗干扰方法实现强噪声环境下的存储器数字小信号的远程动态测试，上位机用于控制主控模块和被测存储器之间的数据通信，为用户操作提供操作界面；信号转换单元用于同轴电缆信号和总线通讯信号的转换；主控模块用于在指定命令下对存储器进行读写操作，将读出数据与写入数据进行对比、生成报告并传输到上位机；存储器DUT模块用于安装待测试存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349339B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011238337.8
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于电子和辐射物理技术领域，具体涉及一种适用于存储器的瞬时电离辐射效应远程动态测试系统和测试方法，包括上位机、信号转换单元、主控模块、存储器DUT模块和3种通用仪器设备，以及相应的连接线缆，采用适当的抗干扰方法实现强噪声环境下的存储器数字小信号的远程动态测试，上位机用于控制主控模块和被测存储器之间的数据通信，为用户操作提供操作界面；信号转换单元用于同轴电缆信号和总线通讯信号的转换；主控模块用于在指定命令下对存储器进行读写操作，将读出数据与写入数据进行对比、生成报告并传输到上位机；存储器DUT模块用于安装待测试存储器。
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公开(公告)号：CN110007738B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201910231898.6
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Inventor： 杜川华
Abstract: 本发明公开了适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法，本发明属于电子技术领域，包括在敏感电路的执行程序中设置异常复位标志，并在敏感电路外围接入具有若干不同地址存储空间的非易失铁电存储器和/或者磁存储器；在电路正常工作时，选取电路状态的关键参数存储到非易失铁电存储器和/或者磁存储器中的两块不同地址的存储空间地址中，当敏感电路发生复位，再读取数据备份状态寄存器的值进行复位，是一种在任何条件下均可以准确读取备份数据，完成敏感电路异常复位后的状态重构，同时，在相同的备份数据量条件下，所需要的存储空间和消耗的计算资源大大降低的新型抗瞬时电离辐射的双地址异步备份和状态重构方法。
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公开(公告)号：CN112345797A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011215368.1
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS加速度计敏感结构辐射效应在线测试装置及方法，包括测试电脑、电压信号检测装置、直流电源、PCB板、屏蔽体和辐射源，其中，PCB板上设置有MEMS加速度计，MEMS加速度计包括检测电路和敏感结构，通过检测电路对敏感结构进行检测，并经电压信号检测装置发送给测试电脑，以确定MEMS加速度计是否受辐射影响以及影响程度。
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公开(公告)号：CN110007738A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910231898.6
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Inventor： 杜川华
Abstract: 本发明公开了适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法，本发明属于电子技术领域，包括在敏感电路的执行程序中设置异常复位标志，并在敏感电路外围接入具有若干不同地址存储空间的非易失铁电存储器和/或者磁存储器；在电路正常工作时，选取电路状态的关键参数存储到非易失铁电存储器和/或者磁存储器中的两块不同地址的存储空间地址中，当敏感电路发生复位，再读取数据备份状态寄存器的值进行复位，是一种在任何条件下均可以准确读取备份数据，完成敏感电路异常复位后的状态重构，同时，在相同的备份数据量条件下，所需要的存储空间和消耗的计算资源大大降低的新型抗瞬时电离辐射的双地址异步备份和状态重构方法。
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公开(公告)号：CN306451184S
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202030678133.0
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Designer： 杜川华
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：用于电脑的存储器辐射效应测试图形用户界面。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于存储器辐射效应测试系统的程序及应用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于屏幕中图形用户界面的内容。
4.最能表明设计要点的图片或照片：界面变化状态图1。
5.本外观设计要点在于界面的交互设计，后视图、左视图、右视图、仰视图、俯视图为惯常设计，省略后视图、左视图、右视图、仰视图、俯视图。
6.图形用户界面的用途：主视图界面为软件进入的初始化界面，初始化界面完成后就进入到界面变化状态图1；界面变化状态图1可设置串口号、芯片类型和芯片型号，数据类型选择（给定数可通过键盘输入任意16进制数），测试选项选择，写入数据和读出数据操作，操作日志栏根据相应的操作自动显示操作内容和操作状态。
设置完各类参数点击“写入数据”变化到界面变化状态图2；界面变化状态图2为正在写入数据状态，显示写入进度、操作日志、显示写入状态和写入时间，完成后变化到界面变化状态图3；界面变化状态图3为写入数据完成界面，点击“读出数据”变化到界面变化状态图4；界面变化状态图4为读出数据界面，显示读出数据进度、操作日志、读出正确或者错误，完成后变化到界面变化状态图5；界面变化状态图5通过方格图显示所有存储单元读出数据的情况。
测试选项选择“单片机测试”变化到界面变化状态图6单片机测试模式；测试选项选择“单字节测试”变化到界面变化状态图7单字节测试模式；测试选项选择“区域测试”变化到界面变化状态图8区域测试模式；界面变化状态图8中设置好参数点击“写入数据”变化到界面变化状态图9；界面变化状态图9为写入数据状态，完成后变化到界面变化状态图10；界面变化状态图10为数据写入完成状态，点击“读出数据”变化到界面变化状态图11；界面变化状态图11为正在读取数据状态，完成后变化到界面变化状态图12；界面变化状态图12为完成读出数据，点击“停止测试”变化到界面变化状态图13；界面变化状态图13为停止测试界面，一次完整的写入和读出数据结束后，点击主界面上“工具——测试报表”，弹出界面变化状态图14；界面变化状态图14为生成的测试报表界面，显示测试的完整信息。
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