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公开(公告)号：CN107356608A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710600207.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
CPC classification number: G01N21/95 , G01N2021/9511
Abstract: 本发明公开了一种大口径熔石英光学元件表面微缺陷快速暗场检测方法，首先采用明场面阵CCD显微系统对光学元件进行定位，确定光学元件在绝对坐标系下的位置，再利用光谱共焦测距系统确定光学元件强激光辐照出光面方程，最后利用暗场线阵CCD显微系统对精确移动的大口径熔石英光学元件表面进行单向光栅式逐行快速扫描，获取微缺陷信息，并采用明场面阵CCD显微系统在线监测光学元件。本发明实现了对光学元件表面微缺陷进行全口径自动化扫描，大大提高检测效率，全口径光学元件表面微缺陷的快速扫描与检测时间可控制在30min以内。
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公开(公告)号：CN107356608B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710600207.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明公开了一种大口径熔石英光学元件表面微缺陷快速暗场检测方法，首先采用明场面阵CCD显微系统对光学元件进行定位，确定光学元件在绝对坐标系下的位置，再利用光谱共焦测距系统确定光学元件强激光辐照出光面方程，最后利用暗场线阵CCD显微系统对精确移动的大口径熔石英光学元件表面进行单向光栅式逐行快速扫描，获取微缺陷信息，并采用明场面阵CCD显微系统在线监测光学元件。本发明实现了对光学元件表面微缺陷进行全口径自动化扫描，大大提高检测效率，全口径光学元件表面微缺陷的快速扫描与检测时间可控制在30min以内。
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公开(公告)号：CN118145592A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410269190.0
申请日：2024-03-08
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种微纳结构的制备方法。本发明首先在等离子体刻蚀设备的样品台即加速电极表面制备微纳结构，或者将加工好的具有微纳结构的电极模板放置在样品台上，作为微纳结构模板；然后，将待刻蚀样件放置于模板上，开展等离子体刻蚀。刻蚀过程中，模板电极会在样件表面复制出相同或近似相同的加速电场等电势线结构，从而实现样件表面不同区域刻蚀速率的空间调控，最终将模板上微纳结构以一定的对比度、镜像复制到样件表面。本发明提供的制备方法的优点是无需光刻直接在样品表面产生微纳结构，图形产生和图形转移过程合二为一，工艺过程简单，工艺稳定性和重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN111239890B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010189618.2
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明公开了一种微纳光纤长周期光栅的制备装置及制备方法，包括：用于发射激光光束的激光器；扫描振镜，其位于激光器发出的激光光束的下游，所述激光光束能够照射在扫描振镜上；电控平移台，其上设置有用于固定微纳光纤的光纤夹具，所述电控平移台位于扫描振镜的后端，且经过扫描振镜的激光束能够照射在光纤夹具上；CCD，其位于电控平移台的后端；控制电脑，其分别与激光器、扫描振镜、电控平移台和CCD相连，所述控制电脑能够对激光器、扫描振镜、电控平移台和CCD进行控制。本发明微纳光纤长周期光栅的制备方法，具有制备简单、制备时间短、调制深度高的优点，特别适合长周期光栅器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN110385313A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910680045.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种基于激光器阵列和集束光纤的高功率激光清洗系统，包括激光器阵列、集束光纤以及与集束光纤输出端连接的激光输出头，所述激光器阵列包括若干阵列分布的激光器单元，所述集束光纤包括由若干与各个激光器单元一一对应的传输光纤集束而成，各个激光器单元产生的激光分别经对应的传输光纤传输到激光输出头，并由激光输出头准直、整形和聚焦后向外输出。采用以上技术方案，通过激光器阵列配合集束光纤能够灵活地控制输出激光束的总能流大小，输出激光的能流密度高，可以快速达到需要的能量进行激光清洗，极大提高了清洗效率和清洗效果，增大了适用范围，能够实现高效率、大范围、高质量、低成本的激光清洗作业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109128510A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811053084.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B23K26/352 , B23K26/402 , G02B1/118
Abstract: 本发明提供的光学元件制备方法和太赫兹波段光学元件，涉及光学元件加工技术领域。其中，光学元件制备方法包括：提供一石英晶体，作为所述太赫兹波段光学元件的本体结构；通过激光器输出一二氧化碳激光，并通过光学组件对该二氧化碳激光进行调节处理；通过扫描振镜控制经过调节处理后的二氧化碳激光按照预设的扫描路径作用于所述石英晶体的待处理面，以在该待处理面上沿所述扫描路径依次制作形成多个凹坑结构，以得到包括本体结构和凹坑结构的太赫兹波段光学元件。通过上述方法，可以有效地在石英晶体上制作凹坑结构，以降低石英晶体表面的反射率、提高制备的太赫兹波段光学元件的透射率。
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公开(公告)号：CN107020451A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710464482.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B23K26/082 , B23K26/064 , G02B26/10
Abstract: 本发明涉及激光领域。本发明提供了一种可旋转扫描的激光输出装置，能够使输出的激光做环状运动，其技术方案可概括为：可旋转扫描的激光输出装置，包括第一全反镜、扫描振镜、平移台、旋转台及至少一个调距全反镜，能够不需要激光发生器进行旋转及移动，只需要旋转台进行旋转及平移台进行平移即可使输出的激光随旋转台的旋转进行环状运动。本发明的有益效果是：结构简单，适用于激光输出装置。
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公开(公告)号：CN118519269A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410659903.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高功率激光装置任意偏振匀滑元件的设计方法，包括构建熔石英局域热残余应力引入的光程差局域极坐标分布函数、建立光程差局域极坐标分布函数对入射的线偏振光的偏振态调控模型、构建任意偏振匀滑元件、根据总体琼斯矩阵计算得到入射光通过任意偏振匀滑元件后的光场分布、评估任意偏振匀滑元件的能量退偏值、评估光场的偏振态在庞加莱球上的分布特征以及评估光场的偏振度在光束截面二维空间上的分布特征的步骤。极大简化了采用熔石英局域残余应力设计任意偏振匀滑元件的流程，规避了仿真模拟极为复杂的整个大口径任意偏振匀滑元件的三维残余应力分布及其引入的应力光程差分布，简洁高效地实现了任意偏振匀滑元件的精准设计。
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公开(公告)号：CN116375350B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310413943.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明涉及一种高抗激光损伤性能的石英表面制备方法，包括以下步骤：先对石英基片进行刻蚀处理；其后再对所述石英基片进行Marangoni干燥处理；最后再对所述石英基片进行二氧化碳激光热处理；通过刻蚀能够有效去除石英表面的抛光残留物和亚表面缺陷层等低通量损伤前驱体，但同时也会引入高通量前驱体，比如痕量的无机盐和有机物类沉积物；而后利用Marangoni干燥大幅降低残留液膜厚度实现无机盐类沉积物的有效抑制；再利用二氧化碳激光热处理实现对有机物类沉积物的热降解，进而获得具有高抗激光损伤性能的石英表面。
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公开(公告)号：CN118210088A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410316836.6
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明属于光学元件微细加工技术领域，具体涉及一种熔石英微透镜阵列的制备方法。本发明首先利用二氧化碳激光对熔石英进行辐照，局部改变熔石英材料的微观结构；然后利用干法刻蚀对改性区进行显影，熔石英材料微观结构对熔石英的化学反应活性有较大影响，因此改性区在干法刻蚀中具有更高的刻蚀速率；最后，干法刻蚀后，改性区因具有更高的刻蚀速率而凹陷，形成微透镜阵列。本发明提供的制备方法可以通过改变刻蚀参数，大范围调控刻蚀的各向异性度，在不改变激光辐照改性区形状的条件下，直接对微透镜横向和纵向尺寸进行独立、精确调控。此外，干法刻蚀由于其各向异性的特点，可以有效抑制缺陷扩展，获得超光滑表面的熔石英微透镜阵列。
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