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公开(公告)号：CN118366832A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410529394.3
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开一种用于大口径光学元件高洁净离子束刻蚀的装置及方法，属于光学元件加工领域，装置部分包括条形离子源、同质离子束阑、同质保护罩和扫描运动平台。条形离子源用于产生离子束流，同质离子束阑和同质保护罩用于截取所需形状的离子束斑，保护真空腔室内其他部组件免受离子溅射、产生溅射污染；离子束阑和保护罩的材质与光学元件保持一致，可进一步避免产生杂质污染。本装置和方法可用于高功率激光装置中大口径光学元件的高洁净离子刻蚀，避免常规刻蚀引入金属等溅射污染的问题。
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公开(公告)号：CN118145592A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410269190.0
申请日：2024-03-08
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种微纳结构的制备方法。本发明首先在等离子体刻蚀设备的样品台即加速电极表面制备微纳结构，或者将加工好的具有微纳结构的电极模板放置在样品台上，作为微纳结构模板；然后，将待刻蚀样件放置于模板上，开展等离子体刻蚀。刻蚀过程中，模板电极会在样件表面复制出相同或近似相同的加速电场等电势线结构，从而实现样件表面不同区域刻蚀速率的空间调控，最终将模板上微纳结构以一定的对比度、镜像复制到样件表面。本发明提供的制备方法的优点是无需光刻直接在样品表面产生微纳结构，图形产生和图形转移过程合二为一，工艺过程简单，工艺稳定性和重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN117024004A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310990787.X
申请日：2023-08-07
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明公开一种用于大口径光学元件离子束加工的装调装置及方法，涉及光学元件加工领域，包括外部框架、多个装夹机构和边缘遮挡机构，装夹机构包括紧固调节组件和夹持组件，紧固调节组件的一端设置于外部框架的内壁上，紧固调节组件的另一端设置有夹持组件，夹持组件用于对大口径光学元件的进行夹持固定，同时配备边缘遮挡机构对大口径光学元件的待加工面的边缘进行遮挡，使得换行或折弯转向的动作在边缘遮挡机构上进行，即不在大口径光学元件上进行，避免过度加工，有效解决了大口径光学元件进行离子束加工无损脱除表面杂质过程中遮挡困难和束流路径在大口径光学元件的非加工部分转弯折返产生过度加工的问题。
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公开(公告)号：CN107020451A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710464482.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B23K26/082 , B23K26/064 , G02B26/10
Abstract: 本发明涉及激光领域。本发明提供了一种可旋转扫描的激光输出装置，能够使输出的激光做环状运动，其技术方案可概括为：可旋转扫描的激光输出装置，包括第一全反镜、扫描振镜、平移台、旋转台及至少一个调距全反镜，能够不需要激光发生器进行旋转及移动，只需要旋转台进行旋转及平移台进行平移即可使输出的激光随旋转台的旋转进行环状运动。本发明的有益效果是：结构简单，适用于激光输出装置。
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公开(公告)号：CN119085906A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411120947.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01L5/00 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种利用多种场耦合分析熔石英激光抛光残余应力的方法，包括：通过构建的熔石英二氧化碳激光熔融抛光的等效热传导系数数值模拟分析获取熔石英激光抛光过程中各个时刻的温度场的步骤；通过构建的熔石英二氧化碳激光熔融抛光的等效结构弛豫时间常数数值模拟分析获取各个时刻表征熔石英结构的假想温度场的步骤；通过构建的冻结的温度场的等效热膨胀系数，数值模拟分析获取熔石英二氧化碳激光熔融抛光后的残余应力场的步骤。规避了熔石英二氧化碳激光熔融抛光涉及到的一系列复杂的物理过程的影响，简洁高效地实现了从熔石英激光抛光参数评估残余应力，尤其适用于对表面质量要求极高的熔石英元件激光抛光参数设计和残余应力控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118428189B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410644780.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开一种干法刻蚀表面微观形貌演化理论模拟方法、介质及产品，属于微纳加工领域，方法包括：首先，初始化晶格网络，统计所有晶格单元上可能发生的沉积、扩散和脱附等动理学事件，计算其发生概率，生成事件列表和事件概率列表；然后，根据事件发生概率的大小，采用蒙特卡洛方法从事件列表中随机选择一个事件来执行；如果选择事件为沉积事件，则在落点选择时引入阴影效应，通过对沉积粒子进行运动轨迹计算来确定其在刻蚀表面的落点。最后，执行所选择的动理学事件，更新刻蚀形貌、事件列表和事件概率列表，进行下一个模拟循环，直至达到所需的模拟时间和步数。本发明提供一种综合覆盖两种作用机制的理论模拟方法，提高模拟方法的准确性。
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公开(公告)号：CN117930501A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410269186.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明属于光学元件技术领域，具体涉及一种涉氚光学元件干法无损去污除膜方法。本发明首先根据元件表面膜层和基底的折射率等光学特征参数，模拟计算元件透射率/反射率与膜层厚度间的函数关系曲线；接着，利用分光光度计光路对光学元件透射率/反射率进行在线监测，并依据模拟计算得到的透射率/反射率与膜层厚度关系曲线，实时计算监测剩余膜层厚度；采用反应离子束刻蚀的方法对光学元件进行去污和除膜处理，当在线监测显示膜层已被完全去除时，停止反应离子束刻蚀；最后，对元件表面的氚污染含量进行测量确认。本发明提供的方法绿色环保无氚化水产生，不破坏元件基底，可同步实现元件的去污和除膜两个目的。
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公开(公告)号：CN116297479A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310175409.6
申请日：2023-02-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种用于大口径光学元件损伤观测的无线侧照明装置及方法，包括对大口径光学元件进行固定的装调组件，还包括设置在待测大口径光学元件侧面，以提供损伤检测光源的照明模块；其中，所述照明模块通过相配合的线缆、接插件与装调组件上的供电模块电性连接。本发明提供一种用于大口径光学元件损伤观测的无线侧照明装置及方法，该装置无需单独外接有线电源，从而极大地扩展了大口径光学元件损伤观测的使用场景，观测时侧照明LED灯条可均匀辐照于整个大口径光学元件，根据观测距离和角度的不同，可分辨出表面或体内损伤。
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公开(公告)号：CN112355488B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202011220524.3
申请日：2020-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/073
Abstract: 本发明公开了一种抗激光损伤的软边光阑制备方法，按照以下步骤进行：S1：调试聚焦CO2激光脉冲的功率和脉宽，利用聚焦CO2激光脉冲辐照熔石英表面，形成无裂纹的烧蚀凹坑点；S2：利用光弹法检测烧蚀凹坑点的残余应力是否为0；S3：利用凹坑点排列密度调控光的透射率，使软边光阑边缘CO2激光相爆炸烧蚀凹坑点的密度朝着靠近软边光阑边缘的方向逐渐增加。采用以上技术方案，制备的软边光阑激光损伤阈值高且经济高效，克服了超短激光脉冲制备软边光阑成本高昂的问题，解决了CO2激光制备软边光阑的热应力问题，不仅可以制备传统的圆孔、方孔和矩形孔软边光阑，并且可以灵活方便地制备圆环、方形环以及中心透射率调制的软边光阑等。
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公开(公告)号：CN113340504A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110788340.5
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种从熔石英假想温度分布获取残余应力分布的方法，按照以下步骤进行：S1：构建熔石英的假想温度分布；S2：作出初始冻结状态曲线以及体积变化曲线；S3：计算各个位置的体积收缩量；S4：获得相对体积应变量的分布；S5：求解获得熔石英的残余应力分布。采用以上技术方案，简洁准确，易于实现，克服了现有方法评估残余应力复杂繁琐的技术问题，并解决了目前玻璃假想温度状态只表征其结构状态而不能通过其分布获取残余应力的难题；本方法不仅可以获得CO2激光作用后熔石英的残余应力分布，而且可以方便灵活地获得石英光纤的残余应力，在熔石英加工领域具有重要的应用价值。
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