公开(公告)号：CN108356712B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201810185676.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所

Inventor： 张连新 ,  王中昱 ,  孙鹏飞 ,  李建 ,  吴祉群 ,  唐小会 ,  蓝河 ,  周涛

IPC: B24C1/08

Abstract: 本发明公开了一种形成高斯型去除函数的射流抛光加工方法，该方法首先通过获取一组在同工艺参数下固定喷嘴位置所产生的去除斑点；随后，检测并获得两个去除斑点的去除峰值点间距；最后，计算得到该工艺参数下高斯型去除函数形成的喷嘴高度。采用该方法可以避免当前多根据实际工艺参数不断调整喷嘴高度直至出现所需去除函数的实验方法，从理论及建模方面快速得到抛光加工中各工艺参数下形成高斯型去除函数的入射高度，从而避免了时间与样品的浪费，提升了科研实验与实际加工的效率。

公开(公告)号：CN108356712A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810185676.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所

Inventor： 张连新 ,  王中昱 ,  孙鹏飞 ,  李建 ,  吴祉群 ,  唐小会 ,  蓝河 ,  周涛

IPC: B24C1/08

Abstract: 本发明公开了一种形成高斯型去除函数的射流抛光加工方法，该方法首先通过获取一组在同工艺参数下固定喷嘴位置所产生的去除斑点；随后，检测并获得两个去除斑点的去除峰值点间距；最后，计算得到该工艺参数下高斯型去除函数形成的喷嘴高度。采用该方法可以避免当前多根据实际工艺参数不断调整喷嘴高度直至出现所需去除函数的实验方法，从理论及建模方面快速得到抛光加工中各工艺参数下形成高斯型去除函数的入射高度，从而避免了时间与样品的浪费，提升了科研实验与实际加工的效率。