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公开(公告)号：CN103426710B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426710A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106550528B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610973016.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体检测的多模光纤焦平面调节装置，其用于将多模光纤的入射平面与切尼‑特纳光路结构的出射焦平面调节至重合，其包括多模光纤调整座、以及并列设置的第一调整装置和第二调整装置，其中，所述切尼‑特纳光路结构安装在第一调整装置上，所述多模光纤调整座安装在第二调整装置上，所述第一调整装置和所述第二调整装置各自具有多个自由度，所述多模光纤容置在所述多模光纤调整座中，使得多模光纤的入射面朝向所述切尼‑特纳光路结构的出口。本发明的调节装置能够实现将多模光纤的入射平面与切尼‑特纳光路结构的出射焦平面调节至重合，而且可以实现快速柔性地调节，从而提高等离子体光谱信息采集的灵敏度和精确度。
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公开(公告)号：CN106550528A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610973016.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体检测的多模光纤焦平面调节装置，其用于将多模光纤的入射平面与切尼-特纳光路结构的出射焦平面调节至重合，其包括多模光纤调整座、以及并列设置的第一调整装置和第二调整装置，其中，所述切尼-特纳光路结构安装在第一调整装置上，所述多模光纤调整座安装在第二调整装置上，所述第一调整装置和所述第二调整装置各自具有多个自由度，所述多模光纤容置在所述多模光纤调整座中，使得多模光纤的入射面朝向所述切尼-特纳光路结构的出口。本发明的调节装置能够实现将多模光纤的入射平面与切尼-特纳光路结构的出射焦平面调节至重合，而且可以实现快速柔性地调节，从而提高等离子体光谱信息采集的灵敏度和精确度。
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公开(公告)号：CN103426807B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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公开(公告)号：CN103426807A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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