-
公开(公告)号：CN104538334B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
-
公开(公告)号：CN104538341B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410785568.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种真空腔室静电卡盘调节装置，包括静电卡盘支撑结构、底座和高度调节结构，所述静电卡盘支撑结构设置在所述静电卡盘的下侧，用于支撑所述静电卡盘，所述底座固定在所述真空腔室的下盖上，所述高度调节结构与所述底座和静电卡盘支撑结构相连接，用于调节所述静电卡盘的高度，在调节高度的同时能够保证所述静电卡盘的水平度。本发明中的静电卡盘调节装置能够实现静电卡盘的竖直方向运动，并能够保证在运动过程中静电卡盘的水平平衡，同时还能够实现对静电卡盘及晶片温度的调节。
-
公开(公告)号：CN103426710A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN103956315A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410217144.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种电极间距可调的等离子体反应腔室，包括腔室衬套、上盖和位于由所述腔室衬套、上盖构成的空腔内的电极，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，还包括电极间距调整机构，所述上电极包括气体分配部件、调整极板、和多晶硅极板，所述调整极板包括金属极板和石英套筒，优选的，所述金属极板为带底圆筒状，从下向上套装在所述气体分配部件上，其内壁与所述气体分配部件的外壁之间留有间隙；所述金属极板的上端与所述电极间距调整机构的下活塞杆固定连接。本发明提供的上下电极间距可调的等离子体反应腔室以及电极间距调整装置，可以精确的调节上下电极之间距离，且结构简单，操作方便，易于加工制造。
-
公开(公告)号：CN103972014B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410219012.3
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电极间隙调整装置，所述电极位于等离子体反应腔室内，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，包括上电极升降装置，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向支撑杆、螺杆和滑动杆，所述上固定板和下固定板相对平行设置，所述升降板平行的设置在所述上固定板和下固定板之间；所述导向支撑杆和所述螺杆垂直安装在所述上固定板和下固定板之间，并均匀分布在以所述上固定板的中心为圆心、以一定距离为半径的圆上；所述滑动杆设置在所述升降板和上电极之间。本发明的等离子体反应腔室电极间隙调整装置及等离子体反应腔室能够根据刻蚀工艺需求，精确控制电极间距，达到最佳的放电位置，可以更好的实现工艺的精度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538334A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: H01L21/67161 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
-
公开(公告)号：CN103972014A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410219012.3
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电极间隙调整装置，所述电极位于等离子体反应腔室内，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，包括上电极升降装置，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向支撑杆、螺杆和滑动杆，所述上固定板和下固定板相对平行设置，所述升降板平行的设置在所述上固定板和下固定板之间；所述导向支撑杆和所述螺杆垂直安装在所述上固定板和下固定板之间，并均匀分布在以所述上固定板的中心为圆心、以一定距离为半径的圆上；所述滑动杆设置在所述升降板和上电极之间。本发明的等离子体反应腔室电极间隙调整装置及等离子体反应腔室能够根据刻蚀工艺需求，精确控制电极间距，达到最佳的放电位置，可以更好的实现工艺的精度。
-
公开(公告)号：CN103426710B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN103422071B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210155362.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种可快速更换匀气方式的真空腔室，是一包括腔筒、上盖（20）和下盖的腔体，在上盖（20）上设进气喷嘴（10），进气喷嘴连通一其下方的第一腔体构成第一布气室（160），第一布气室外壁与真空腔体内壁间构成第二布气室（170），在第一布气室腔体壁上设布气孔连通第一布气室和第二布气室；第二布气室腔体壁上设出气口，其上连设真空泵的管路；构成第一布气室的第一腔体与腔体间构成可拆连接结构，腔体上设若干连接结构与不同规格的第一布气室上的连接结构连接，构成可拆连接结构。本发明可检测不同进气方式下腔室内部空间及各气路上的压力参数，研究集成电路制造过程中气流参数对工艺的影响规律，并可显著提高IC装备腔室布气部件优化设计的可信度。
-
公开(公告)号：CN104538341A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410785568.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种真空腔室静电卡盘调节装置，包括静电卡盘支撑结构、底座和高度调节结构，所述静电卡盘支撑结构设置在所述静电卡盘的下侧，用于支撑所述静电卡盘，所述底座固定在所述真空腔室的下盖上，所述高度调节结构与所述底座和静电卡盘支撑结构相连接，用于调节所述静电卡盘的高度，在调节高度的同时能够保证所述静电卡盘的水平度。本发明中的静电卡盘调节装置能够实现静电卡盘的竖直方向运动，并能够保证在运动过程中静电卡盘的水平平衡，同时还能够实现对静电卡盘及晶片温度的调节。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.024 seconds)
