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公开(公告)号：CN103426710B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103956315A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410217144.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种电极间距可调的等离子体反应腔室，包括腔室衬套、上盖和位于由所述腔室衬套、上盖构成的空腔内的电极，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，还包括电极间距调整机构，所述上电极包括气体分配部件、调整极板、和多晶硅极板，所述调整极板包括金属极板和石英套筒，优选的，所述金属极板为带底圆筒状，从下向上套装在所述气体分配部件上，其内壁与所述气体分配部件的外壁之间留有间隙；所述金属极板的上端与所述电极间距调整机构的下活塞杆固定连接。本发明提供的上下电极间距可调的等离子体反应腔室以及电极间距调整装置，可以精确的调节上下电极之间距离，且结构简单，操作方便，易于加工制造。
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公开(公告)号：CN103956315B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410217144.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种电极间距可调的等离子体反应腔室，包括腔室衬套、上盖和位于由所述腔室衬套、上盖构成的空腔内的电极，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，还包括电极间距调整机构，所述上电极包括气体分配部件、调整极板、和多晶硅极板，所述调整极板包括金属极板和石英套筒，优选的，所述金属极板为带底圆筒状，从下向上套装在所述气体分配部件上，其内壁与所述气体分配部件的外壁之间留有间隙；所述金属极板的上端与所述电极间距调整机构的下活塞杆固定连接。本发明提供的上下电极间距可调的等离子体反应腔室以及电极间距调整装置，可以精确的调节上下电极之间距离，且结构简单，操作方便，易于加工制造。
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公开(公告)号：CN103426807B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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公开(公告)号：CN103426807A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972014B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410219012.3
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电极间隙调整装置，所述电极位于等离子体反应腔室内，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，包括上电极升降装置，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向支撑杆、螺杆和滑动杆，所述上固定板和下固定板相对平行设置，所述升降板平行的设置在所述上固定板和下固定板之间；所述导向支撑杆和所述螺杆垂直安装在所述上固定板和下固定板之间，并均匀分布在以所述上固定板的中心为圆心、以一定距离为半径的圆上；所述滑动杆设置在所述升降板和上电极之间。本发明的等离子体反应腔室电极间隙调整装置及等离子体反应腔室能够根据刻蚀工艺需求，精确控制电极间距，达到最佳的放电位置，可以更好的实现工艺的精度。
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公开(公告)号：CN104538334A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: H01L21/67161 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
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公开(公告)号：CN103972014A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410219012.3
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电极间隙调整装置，所述电极位于等离子体反应腔室内，所述电极包括上电极和下电极，其特征在于，包括上电极升降装置，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向支撑杆、螺杆和滑动杆，所述上固定板和下固定板相对平行设置，所述升降板平行的设置在所述上固定板和下固定板之间；所述导向支撑杆和所述螺杆垂直安装在所述上固定板和下固定板之间，并均匀分布在以所述上固定板的中心为圆心、以一定距离为半径的圆上；所述滑动杆设置在所述升降板和上电极之间。本发明的等离子体反应腔室电极间隙调整装置及等离子体反应腔室能够根据刻蚀工艺需求，精确控制电极间距，达到最佳的放电位置，可以更好的实现工艺的精度。
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公开(公告)号：CN104538334B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
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公开(公告)号：CN103426710A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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