一种BIT-Nd块体压电光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116371398B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310379258.6

    申请日:2023-04-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种BIT‑Nd块体压电光催化剂及其制备方法和应用,将钕掺杂钛酸铋纳米粉与粘结剂混合,压制成型获得BIT‑Nd陶瓷生坯、烧结获得BIT‑Nd陶瓷片,然后将BIT‑Nd陶瓷片置于含钕掺杂钛酸铋前驱体浆液A的水热反应釜中,水热反应,于BIT‑Nd陶瓷片表面生长钕掺杂钛酸铋纳米花即得BIT‑Nd块体压电光催化剂,本发明采用刚性基体上生长纳米花,基体选用同种物质压制的压电陶瓷片,从而在基体与纳米花协同作用下大幅提高压电催化效率。

    一种BIT-Nd块体压电光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116371398A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310379258.6

    申请日:2023-04-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种BIT‑Nd块体压电光催化剂及其制备方法和应用,将钕掺杂钛酸铋纳米粉与粘结剂混合,压制成型获得BIT‑Nd陶瓷生坯、烧结获得BIT‑Nd陶瓷片,然后将BIT‑Nd陶瓷片置于含钕掺杂钛酸铋前驱体浆液A的水热反应釜中,水热反应,于BIT‑Nd陶瓷片表面生长钕掺杂钛酸铋纳米花即得BIT‑Nd块体压电光催化剂,本发明采用刚性基体上生长纳米花,基体选用同种物质压制的压电陶瓷片,从而在基体与纳米花协同作用下大幅提高压电催化效率。

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