一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN101157556A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710035810.0

    申请日:2007-09-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法,包括以下步骤:将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂,加入Si粉,混合均匀后,加热挥发除去有机溶剂;将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解,最高裂解温度1000~1350℃,升温速度0.5~10℃/min;测定复合粉末的碳与硅的含量,得出复合粉末中SiC和Si的量,按摩尔比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉,混合,反应热压制备;热压工艺为:升温速度20~100℃/min,热压温度1450~1700℃,压力20~50MPa,保温30~120min,真空或惰性气体保护。本发明材料经XRD检测表明,仅含MoSi2和SiC两相。本发明材料是在不降低MoSi2抗高温氧化性前提下,最大限度地改善了MoSi2基复合材料的室温和高温力学性能。

    制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法

    公开(公告)号:CN101220485A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710035916.0

    申请日:2007-10-17

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法,采用C3H6和N2为碳源气对碳阳极进行化学气相沉积,获得热解碳涂层;采用硝酸镍水溶液作电镀液,对含热解碳涂层碳阳极电镀,电镀后超声清洗,烘干;真空下热处理,得到热解碳涂层与金属质点掺杂相结合的热解碳抗极化涂层。采用本发明,所得化学气相沉积热解碳涂层厚度均匀、与碳阳极基体结合紧密;以低石墨化、难极化的化学气相沉积热解碳封闭碳阳极表面孔隙,阻止电解液向电极内部渗入,保护电极内部结构;形成表面金属质点掺杂层,阻止不导电氟化石墨的产生,提高表面导电性能,阳极电流密度为0.1mA/cm2,有效防止碳阳极板的极化。

    多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法

    公开(公告)号:CN101412632B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200810143585.7

    申请日:2008-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法,将U形炭纤维坯体进行高温纯化预处理后沉积,热处理温度为1600~2800℃;将U形炭纤维坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行裂解增密制备出炭/炭复合坯体,裂解温度850~1200℃,时间100~400h,炉内气压0.5kPa~2.5kPa;将增密至一定密度的炭/炭复合坯体进行机加工,酸洗+氯盐洗,进行高温纯化处理,处理温度为2000~2800℃;将炭/炭复合坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行表面涂层处理,裂解温度900~1300℃,时间10~100h,炉内气压1.0kPa~4.0kPa;并测定炭/炭复合材料发热体成品的技术指标。本发明能制备出纯度高、电阻率随温度变化稳定、使用寿命长的大尺寸异形薄壁炭/炭复合材料发热体。

    制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法

    公开(公告)号:CN100590229C

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200710035916.0

    申请日:2007-10-17

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法,采用C3H6和N2为碳源气对碳阳极进行化学气相沉积,获得热解碳涂层;采用硝酸镍水溶液作电镀液,对含热解碳涂层碳阳极电镀,电镀后超声清洗,烘干;真空下热处理,得到热解碳涂层与金属质点掺杂相结合的热解碳抗极化涂层。采用本发明,所得化学气相沉积热解碳涂层厚度均匀、与碳阳极基体结合紧密;以低石墨化、难极化的化学气相沉积热解碳封闭碳阳极表面孔隙,阻止电解液向电极内部渗入,保护电极内部结构;形成表面金属质点掺杂层,阻止不导电氟化石墨的产生,提高表面导电性能,阳极电流密度为0.1mA/cm2,有效防止碳阳极板的极化。

    一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN100579935C

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200710035810.0

    申请日:2007-09-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法,包括以下步骤:将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂,加入Si粉,混合均匀后,加热挥发除去有机溶剂;将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解,最高裂解温度1000~1350℃,升温速度0.5~10℃/min;测定复合粉末的碳与硅的含量,得出复合粉末中SiC和Si的量,按摩尔比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉,混合,反应热压制备;热压工艺为:升温速度20~100℃/min,热压温度1450~1700℃,压力20~50MPa,保温30~120min,真空或惰性气体保护。本发明材料经XRD检测表明,仅含MoSi2和SiC两相。本发明材料是在不降低MoSi2抗高温氧化性前提下,最大限度地改善了MoSi2基复合材料的室温和高温力学性能。

    多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法

    公开(公告)号:CN101412632A

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200810143585.7

    申请日:2008-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法,将U形炭纤维坯体进行高温纯化预处理后沉积,热处理温度为1600~2800℃;将U形炭纤维坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行裂解增密制备出炭/炭复合坯体,裂解温度850~1200℃,时间100~400h,炉内气压0.5kPa~2.5kPa;将增密至一定密度的炭/炭复合坯体进行机加工,酸洗+氯盐洗,进行高温纯化处理,处理温度为2000~2800℃;将炭/炭复合坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行表面涂层处理,裂解温度900~1300℃,时间10~100h,炉内气压1.0kPa~4.0kPa;并测定炭/炭复合材料发热体成品的技术指标。本发明能制备出纯度高、电阻率随温度变化稳定、使用寿命长的大尺寸异形薄壁炭/炭复合材料发热体。

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