公开(公告)号：CN101176956A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710192543.8

申请日：2007-12-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 王志法 ,  崔大田 ,  姜国圣

IPC: B23K35/30

Abstract: 本发明公开了一种中温封接焊料，其组份按重量百分比计：12.2～13.1的锗、14.5～21.1的银、余量为金和不可避免的杂质。本发明的中温封接焊料合金采用常规生产方法进行制备，按重量百分比配比秤重金属原料，放入中频真空熔炼炉中熔炼，熔化后浇铸即可得Au－Ag－Ge合金焊料。本发明是一种熔化温度范围为450～550℃，同时具备优良可焊性能、抗氧化性能的中温封接焊料。

公开(公告)号：CN1184040C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02147675.6

申请日：2002-10-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 王志法 ,  姜国圣 ,  刘正春

IPC: B22F3/16 ,  H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及粉末冶金方法制备电子器件的封装材料，其特征在于：先制备带孔隙的钨(钼)骨架，再利用毛细作用使液态金属铜填充孔隙，其技术关键在于制备具有预定生坯密度且没有闭孔隙的生坯，本方法制备的基板材料，致密度高，导热导电性能优良，具有满意的强度和硬度，全面满足现代功率器件的封装需要，本发明工艺简单，降低了生产成本，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN1493419A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN02147675.6

申请日：2002-10-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 王志法 ,  姜国圣 ,  刘正春

IPC: B22F3/16 ,  H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及粉末冶金方法制备电子器件的封装材料，其特征在于：先制备带孔隙的钨(钼)骨架，再利用毛细作用使液态金属铜填充孔隙，其技术关键在于制备具有预定生坯密度且没有闭孔隙的生坯，本方法制备的基板材料，致密度高，导热导电性能优良，具有满意的强度和硬度，全面满足现代功率器件的封装需要，本发明工艺简单，降低了生产成本，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN111304481A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010087108.4

申请日：2020-02-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 姜国圣 ,  梁远龙

IPC: C22C1/10 ,  C22C1/02 ,  C22C26/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种金刚石-金属复合材料的熔渗制备工艺及金刚石-金属复合材料，该工艺先通过润湿剂在金刚石表面镀一层金属，形成一个过渡层，解决了基体金属与金刚石不浸润，直接复合后界面存在间隙，结合力较差，热导率、致密度和机械强度较低的问题，再在金刚石/润湿剂混合物层的上、下表面分别设置金属丝网，将上下表面由难以加工的金刚石/基体金属，变为金属丝与基体金属的复合层，打磨时，通过打磨表层的铜与金属丝网就能得到光滑平整的表面，符合第三代半导体元器件的使用要求。