公开(公告)号：CN105755410A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610246982.1

申请日：2016-04-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 周海涛 ,  李夏雷 ,  周啸 ,  刘磊 ,  刘强

IPC: C22F1/06 ,  C22C23/00

CPC classification number: C22F1/06 ,  C22C23/00

Abstract: 本发明公开了一种超轻双相镁锂合金板材的制备工艺，该工艺是采用LA83?0.4Y铸锭为原材料，先进行均匀化退火处理后，线切割成板坯，板坯通过加热处理后，依次进行多道次热轧处理、去应力退火处理、多道次冷轧处理及去应力退火处理，即可以得到厚度为1mm以下，表面平整，且力学性能较好的超轻双相镁锂合金板材，该镁锂合金板材的抗拉强度为183.42～220.35MPa，屈服强度为150.01～190.74MPa，延伸率为18～35％，维氏硬度为63.09～80.05。且镁锂合金板材的制备工艺简单、低能耗、低成本，满足工业生产要求。

公开(公告)号：CN111640861A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010338931.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘瑞蕊 ,  周啸 ,  周海涛

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn-Sn-Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％-50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm-60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌-锡-锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。

公开(公告)号：CN104233024A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410505805.1

申请日：2014-09-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 周海涛 ,  秦径为 ,  彭谦之 ,  周啸

IPC: C22C23/00 ,  C22C1/03

Abstract: 本发明涉及一种高强双相超轻的镁锂合金及其制备方法；属于轻质金属材料制备技术领域。本发明所述镁锂合金以质量百分比计包括下述组分：Li:6.0-9.0％、Al:1.0-6.0％、Y:0.01-1.0％、Ca:0.21-0.5％。本发明在普通电阻炉中进行采用熔剂覆盖+气体保护法镁锂合金的熔炼；得到了室温抗拉强度为162-190Mpa、屈服强度为150-170Mpa、延伸率为15％-30％、密度为1.43-1.48g/cm3的高强双相超轻的镁锂合金。本发明制备工艺简单，所得产品性能优良，便于产业化生产。

公开(公告)号：CN102225459A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110158174.7

申请日：2011-06-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 周海涛 ,  周啸 ,  温盛发 ,  张振栋

IPC: B22D7/00 ,  B22D21/02 ,  B22D18/04

Abstract: 本发明公开了一种钙锭熔炼浇注系统及制备金属钙锭的方法，包括加热装置、气压装置和浇注装置，所述的气压装置和浇注装置分别通过管道连接至加热装置，将原料放入坩埚中，关闭储气罐出口处的安全阀门，将储气罐充入氩气，关闭所有安全阀门，将还原钙或电解钙加热至溶解并保温，开启储气罐出口处的安全阀门，坩埚内液体受氩气的压力，通过管道及分流模进入浇注模。本发明突破现有人工金属钙熔炼浇注过程，浇注金属收得率低、浇注效率低等瓶颈，首次采用气体增压使钙熔体浇注，实现了金属钙熔体的半自动化浇注。同时这不仅是金属钙熔体浇注的突破，同时也是其他活泼金属或轻金属浇注技术的突破。

公开(公告)号：CN111640861B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010338931.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘瑞蕊 ,  周啸 ,  周海涛

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌‑锡‑锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn‑Sn‑Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％‑50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm‑60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌‑锡‑锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。

公开(公告)号：CN202123223U

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201120199073.X

申请日：2011-06-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 周啸 ,  周海涛 ,  温盛发 ,  张振栋

IPC: B22D7/06 ,  B22D35/04 ,  C21C7/06

Abstract: 本实用新型公开了一种钙锭熔炼浇注系统，包括加热装置、气压装置和浇注装置，气压装置和浇注装置分别通过管道连接至加热装置，加热装置包括坩埚、加热器和用于测量温度的热电偶，加热器环绕坩埚设置，坩埚设有用于密封的炉盖，热电偶穿过炉盖并伸入至坩埚内部，气压装置包括高压气瓶和储气罐，高压气瓶通过管道连接至储气罐，储气罐通过管道连接至坩埚内部，浇注装置包括分流模和浇注模，分流模通过管道连接至坩埚内部，浇注模通过管道连接至分流模。本实用新型突破现有人工金属钙熔炼浇注过程，浇注金属收得率低、浇注效率低等瓶颈，首次采用气体增压使钙熔体浇注，实现了金属钙熔体的半自动化浇注，是活泼金属或轻金属浇注技术的突破。