公开(公告)号：CN111640861A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010338931.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘瑞蕊 ,  周啸 ,  周海涛

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn-Sn-Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％-50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm-60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌-锡-锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。

公开(公告)号：CN111640861B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010338931.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘瑞蕊 ,  周啸 ,  周海涛

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌‑锡‑锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn‑Sn‑Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％‑50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm‑60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌‑锡‑锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。