公开(公告)号：CN101136710B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200610149810.9

申请日：2006-10-25

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 张义 ,  周炼 ,  杨振力

IPC: H04J3/06 ,  G06F12/00

Abstract: 本发明公开了一种用于虚级联恢复的数据存储控制方法。设置读写数据和地址缓存器；将恢复前的数据写入写数据缓存器的填充页，将DDR SDRAM的写地址和读地址写入写地址缓存器和读地址缓存器的填充页；如果填充页被写满，则进行读取页和填充页的切换；从写数据缓存器的读取页的当前列中读出所存储的数据，并将数据写入读出的写地址；从读出的读地址读出数据，并将数据写入读数据缓存器的填充页的当前列中；将下一列作为当前列，直至写数据缓存器的读取页被读空并且读数据缓存器的填充页被写满；同时对读写数据和地址缓存器的填充页和读取页进行切换，重复数据读写。本发明实现了使用DDR SDRAM进行虚级联延时补偿中的数据存储控制。

公开(公告)号：CN101136710A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610149810.9

申请日：2006-10-25

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 张义 ,  周炼 ,  杨振力

IPC: H04J3/06 ,  G06F12/00

Abstract: 本发明公开了一种用于虚级联恢复的数据存储控制方法。设置读写数据和地址缓存器；将恢复前的数据写入写数据缓存器的填充页，将DDR SDRAM的写地址和读地址写入写地址缓存器和读地址缓存器的填充页；如果填充页被写满，则进行读取页和填充页的切换；从写数据缓存器的读取页的当前列中读出所存储的数据，并将数据写入读出的写地址；从读出的读地址读出数据，并将数据写入读数据缓存器的填充页的当前列中；将下一列作为当前列，直至写数据缓存器的读取页被读空并且读数据缓存器的填充页被写满；同时对读写数据和地址缓存器的填充页和读取页进行切换，重复数据读写。本发明实现了使用DDR SDRAM进行虚级联延时补偿中的数据存储控制。