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公开(公告)号：CN101719104B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910223846.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步动态存储器的控制系统及控制方法，系统包括：地址缓存控制器，调整起始读请求的读地址顺序，并将调整了读地址顺序的读请求发送给同步动态存储器控制器；同步动态存储器控制器与地址缓存控制器连接，根据调整了读地址顺序的读请求，从同步动态存储器中读出数据，并将读出的数据发送给数据缓存控制器；数据缓存控制器分别与同步动态存储器控制器和地址缓存控制器连接，用于对接收的数据进行排序，按照起始读请求的顺序输出数据。本发明通过对输入读地址的处理，能够最大可能提供给同步动态存储器控制器PFH和PH的情形，为同步动态存储器控制器提升效率提供基础，同时通过对读出数据的处理，使输出数据与请求的先后顺序一致。
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公开(公告)号：CN102103545A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910260342.6
申请日：2009-12-16
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明公开了一种数据缓存的方法、装置及系统，该方法包括统一对至少两个存储设备中的存储空间划分存储块并编号；响应数据写入命令时，根据编址方案将数据存入所述至少两个存储设备的存储空间；响应数据读出命令时，根据所述编址方案将数据从所述存储空间读出；对读出的数据重新排序后输出。在本发明的技术方案中，对所述至少两个存储设备统一管理，共同配合使用，在不提高成本的情况下，提升数据存储设备的存储容量和访问速度。由于对从所述至少两个存储空间中读出的数据根据其对应的数据读出命令的编号重新排序之后再输出，保证了输出数据顺序的正确性。
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公开(公告)号：CN101136710B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610149810.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于虚级联恢复的数据存储控制方法。设置读写数据和地址缓存器；将恢复前的数据写入写数据缓存器的填充页，将DDR SDRAM的写地址和读地址写入写地址缓存器和读地址缓存器的填充页；如果填充页被写满，则进行读取页和填充页的切换；从写数据缓存器的读取页的当前列中读出所存储的数据，并将数据写入读出的写地址；从读出的读地址读出数据，并将数据写入读数据缓存器的填充页的当前列中；将下一列作为当前列，直至写数据缓存器的读取页被读空并且读数据缓存器的填充页被写满；同时对读写数据和地址缓存器的填充页和读取页进行切换，重复数据读写。本发明实现了使用DDR SDRAM进行虚级联延时补偿中的数据存储控制。
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公开(公告)号：CN1761177B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410080496.4
申请日：2004-10-11
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 周炼
Abstract: 本发明公开了一种虚级联恢复过程中实现无损重排的方法，其主要思想是采用复用处理的方式完成虚级联顺序重排过程，数据重排过程和延时补偿共用一个RAM；通过芯片内部的交叉RAM，生成交叉地址；配置变化时在读出方向做特殊处理。本发明通过用交叉RAM生成补偿RAM的高位地址，从而达到顺序重排的目的，由于顺序重排过程和延时补偿过程共用了一个RAM，减少了完成这部分功能所占用的资源。当配置发生变化时，将写入方向的变化时刻同步到读出方向，在空闲段更新配置信息，并且在读方向在配置变化时不需要复位交叉RAM和补偿RAM，所以按照LCAS协议规定所作的配置变化不会导致数据丢失。
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公开(公告)号：CN101661430A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810141723.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
CPC classification number: H04L49/901 , H04L47/56
Abstract: 本发明公开了一种存储块回收判断装置及存储块管理系统，所述存储块回收判断装置包括外围信息存取单元、数据包信息记录单元、数据计算单元和比较判断单元，所述数据计算单元用于通过数据包的需被调度次数及单次被调度信息计算出数据包的剩余调度次数，并将所述数据包的剩余调度次数写入到所述数据包信息记录单元，同时将所述需被调度次数信息获取标志置为有效；比较判断单元用于在判断数据包的剩余调度次数为0，且所述需被调度次数信息获取标志为有效时，作出存储块回收指示，并将数据包信息记录单元中的数据包剩余调度次数重置为初值，需被调度次数信息获取标志置为无效。本发明减少了回收判断所占用的存储空间，简化了存储块的回收判断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1571427A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410037382.1
申请日：2004-04-30
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 周炼
Abstract: 一种降低虚级联恢复模块工作频率的方法，通过转变数据的位宽来降低数据总线的频率，包括(一)在虚级联恢复模块与SDH处理接口处，将字节格式的SDH数据转变为8xN(其中N＝2，3，4，5，...)比特格式，并转化其他相应的指示信号；(二)将8xN比特的数据送到虚级联恢复模块处理；(三)将虚级联恢复模块处理后送出的8xN比特的数据转变成8比特数据，并转化对应的指示信号。本发明降低了芯片内部的最高工作频率以及和外部RAM接口的数据频率，从而降低了芯片的开发难度；并且在有两级指针的映射路径中，将高阶指针的调整下泄到低阶指针，进一步简化了虚级联恢复的处理。
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公开(公告)号：CN102103545B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910260342.6
申请日：2009-12-16
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明公开了一种数据缓存的方法、装置及系统，该方法包括统一对至少两个存储设备中的存储空间划分存储块并编号；响应数据写入命令时，根据编址方案将数据存入所述至少两个存储设备的存储空间；响应数据读出命令时，根据所述编址方案将数据从所述存储空间读出；对读出的数据重新排序后输出。在本发明的技术方案中，对所述至少两个存储设备统一管理，共同配合使用，在不提高成本的情况下，提升数据存储设备的存储容量和访问速度。由于对从所述至少两个存储空间中读出的数据根据其对应的数据读出命令的编号重新排序之后再输出，保证了输出数据顺序的正确性。
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公开(公告)号：CN1996807B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200510132588.7
申请日：2005-12-26
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种实现无损伤虚级联延时补偿的方法，其包括步骤：采用复用处理的方式完成虚级联延时补偿过程；保持读地址和规定群组中所有成员中延时最大的成员的写地址距离接近，如果这条延时最大的成员被删除，及时调整读地址增加速度，保持读地址和群组中当前延时最大的成员的写地址接近；在边界位置检测有无成员的添加和删除操作，检测是否所有的成员的写地址都已经超过特定的边界，如果是，则增加读地址；否则读地址不增加，保持在边界处于等待状态。本发明方法由于通过动态调整延时补偿RAM的读地址的增加速度，保持读地址和延时最大的有效成员的写地址之间的距离为设定值，确保了进行虚级联恢复所需的时间最少。
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公开(公告)号：CN1761176B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410080495.X
申请日：2004-10-11
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在虚级联恢复过程中实现无损添加删除的方法，主要方案是自动检测系统相同类型成员之间存在的最大延时，并根据该检测结果，自动调整RAM读写地址之间的距离；检测写入方向配置变化的边界位置，并在读出方向设立“非读段”。通过本发明提出的动态设置存储设备读写地址之间的距离，并在读出方向设立“非读段”的方法，能够保证添加存在延时的成员或在临时删除后恢复存在延时的成员时不丢失数据，并且把模块处理所造成的延时控制在最小范围。
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公开(公告)号：CN100517505C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710142050.3
申请日：2007-08-20
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 周炼
IPC: G11C11/409
Abstract: 本发明提供了一种同步动态存储器的读写方法，其包括：步骤S102，缓存发送到同步动态存储器中的当前读写访问的请求和读写访问的地址；以及步骤S104，判断上一读写访问请求的状态，根据当前读写访问和判断结果进行相应的读写处理。并且，提供了一种同步动态存储器的读写装置。从而，可以提高SDRAM控制器的工作效率。
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