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公开(公告)号：CN119521704A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311034300.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种氮化镓器件及其制备方法，该氮化镓器件包括外延层，外延层上设置有栅电极，栅电极下方的外延层中具有多个Y型纳米沟道，其中，多个Y型纳米沟道由两排相互对立排列的楔形凹槽形成。本申请实施例至少解决了相关技术中采用双沟道耦合的方式改善器件线性度，实现难度高，容易导致器件在应用层面的线性度退化的问题。
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公开(公告)号：CN118588731A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310245622.X
申请日：2023-03-02
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本申请公开了一种高电子迁移率晶体管、制备方法及电子设备，属于半导体技术领域，用以提高高电子迁移率晶体管的击穿电压。所述高电子迁移率晶体管包括：高电子迁移率晶体管主体；目标钝化层，所述目标钝化层位于所述高电子迁移率晶体管主体的上方，所述目标钝化层的第一拐角部位为倾斜结构；第一场板金属层，所述第一场板金属层位于所述目标钝化层的上方，所述第一场板金属层的第二拐角部位为所述倾斜结构，所述第一拐角部位与所述第二拐角部位存在对应关系。
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公开(公告)号：CN118299412A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311138815.1
申请日：2023-01-04
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本申请实施例提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法，氮化镓器件包括：至少两层组合层，最上层的组合层上设置有栅电极，栅电极的下方具有多个不同深度的栅极凹槽，栅极凹槽内填充有P型氮化镓，可以从调制器件栅下的载流子速场关系、栅源电容入手提升器件线性度特征，以解决相关技术中引入寄生电容限制频率特性、实现难度大、高，难以大批量应用的问题。
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公开(公告)号：CN114513173B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202210045964.2
申请日：2022-01-14
Applicant: 清华大学 , 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种射频功率放大器，包括：输入功分器，用于对射频输入信号进行功率分配，输出第一射频信号及第二射频信号；第一信号放大器，用于放大第一射频信号的功率，得到功率放大后的第一射频信号；第一定向耦合器，用于对第二射频信号进行耦合处理，得到直通射频信号和耦合射频信号；第二信号放大器，用于放大直通射频信号和耦合射频信号的功率，得到功率放大后的直通射频信号和耦合射频信号；IPD模块，用于对功率放大后的直通射频信号进行相位调整，并对相位调整后的直通射频信号、功率放大后的耦合射频信号及功率放大后的第一射频信号进行功率合成，输出射频输出信号。本公开还提供了一种射频功率放大器的应用。
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公开(公告)号：CN118100829A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211501803.6
申请日：2022-11-28
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种射频功率放大方法与射频功率放大器，该射频功率放大器包括：主功放和辅功放，主功放与合路点之间设置有阻抗变换网络和第一输出谐波控制网络，辅功放和该合路点之间设置有相移网络和第二输出谐波控制网络，合路点的阻抗与负载阻抗匹配；第一输出谐波控制网络、第二输出谐波控制网络，通过控制谐波阻抗将主功放与辅功放的晶体管根部的电压波形与电流波形进行整形，使得主功放与辅功放处于逆F类模式下，可以解决相关技术中合成网络采用CLC结构，功放效率较低且需要添加额外的后匹配网络，导致合成网络的整体面积较大不利于小型化和集成化的问题，提高了放效率，便于小型化集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115469201A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110563044.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了半导体材料特性表征测试方法及其系统，其中，系统中的第一信号源和第二信号源的输出端分别连接到合路模块的输入端，合路模块的输出端通过待测器件连接到第二信号源的输入端。当待测器件处于旁路状态、第一信号源处于关闭状态及第二信号源处于开启状态，第二信号源获取第一输入信号，并根据第一输入信号确定环境校准参数；当待测器件从旁路状态切换至接通状态、第一信号源处于开启状态及第二信号源处于开启状态，第二信号源获取第二输入信号；第二信号源根据环境校准参数和第二输入信号确定待测器件的特性参数。基于此，能够准确表征GaN材料在实际业务场景中的trapping特性，使得GaN材料特性指标完全可以量化。
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公开(公告)号：CN113540230A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110656877.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和叠层钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；叠层钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，第一钝化层由非掺杂P型材料构成，第二钝化层由氧化铝、氮化硅和氧化硅中的任意一种构成，叠层钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于叠层钝化层。本发明采用非掺杂P型材料作为第一层钝化材料，非掺杂P型材料与GaN或AlGaN界面处形成p‑n结，可有效的阻断界面漏电通道，起到场制调控作用，从而直接降低器件关态漏电。同时，第二层钝化层可以有效阻拦水汽、氧等进入势垒层表面界面，从而提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN113540229A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110656086.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和复合钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，复合钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于复合钝化层，第一钝化层含有负离子，在栅电极和漏电极之间的第一钝化层设置有至少一个开孔，以形成负离子孤岛阵列。本发明采用复合钝化层，在沉积第一钝化层时直接加入负离子，然后在栅电极和漏电极之间的第一钝化层选区开孔，形成负离子钝化孤岛，达到类浮空场板技术效果。此外，由于未引入场板结构，避免密勒负反馈电容的产生，提升了器件的频率特性和增益。
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公开(公告)号：CN102271320B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201010197797.0
申请日：2010-06-03
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 刘海军
Abstract: 本发明公开了一种业务协商方法及系统，上述方法包括：第一设备接收来自第二设备的业务协商请求消息，其中，业务协商请求消息用于指示第二设备接受和/或不接受的业务，以及接受的业务中接受和/或不接受的功能；第一设备向第二设备发送业务协商响应消息，其中，协商响应消息用于指示第一设备向第二设备提供和/或不提供的业务，以及提供的业务中提供和/或不提供的功能。本发明提供的技术方案，设备之间进行业务级别、以及具体业务内功能的偏好协商，使得用户期望的业务或者业务功能特征在业务执行之前或执行过程中，可以被实时地协商，不受具体业务特点的限制，对业务及业务功能的偏好性协商具有通用性强，兼容性好，通讯效率高的优点。
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公开(公告)号：CN101964954B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200910089865.9
申请日：2009-07-24
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 刘海军
CPC classification number: H04W72/0413
Abstract: 本发明公开了一种用户数据无线承载需求的通知方法，该方法包括：用户设备(UE)通过无线资源控制(RRC)信令，将用户数据无线承载需求通知给演进的通用陆地无线接入网(E-UTRAN)。本发明还公开了一种用户数据无线承载需求的通知系统，该系统包括：UE侧的通知单元，用于UE通过RRC信令，将用户数据无线承载需求通知给E-UTRAN。采用本发明的方法及系统，使E-UTRAN能获知UE的用户数据无线承载需求，以便后续通过E-UTRAN的判决优化用户数据的传输。
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