公开(公告)号：CN118588731A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310245622.X

申请日：2023-03-02

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 杜成林 ,  蔡小龙 ,  叶然 ,  刘海军 ,  张煜 ,  段向阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请公开了一种高电子迁移率晶体管、制备方法及电子设备，属于半导体技术领域，用以提高高电子迁移率晶体管的击穿电压。所述高电子迁移率晶体管包括：高电子迁移率晶体管主体；目标钝化层，所述目标钝化层位于所述高电子迁移率晶体管主体的上方，所述目标钝化层的第一拐角部位为倾斜结构；第一场板金属层，所述第一场板金属层位于所述目标钝化层的上方，所述第一场板金属层的第二拐角部位为所述倾斜结构，所述第一拐角部位与所述第二拐角部位存在对应关系。

公开(公告)号：CN119653809A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202311182369.4

申请日：2023-09-13

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 宓珉瀚 ,  武盛 ,  蔡小龙 ,  王鹏飞 ,  杜成林 ,  叶然 ,  代云飞 ,  安思瑞 ,  杜翔

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请提供了高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件包括衬底、衬底上的沟道层、沟道层上的势垒层、势垒层上的源极和漏极、势垒层上的应力调制层、以及栅极。源极和漏极在第一水平方向上延伸，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上相对。栅极在第二水平方向上位于源极和漏极之间。应力调制层在第二水平方向上位于源极和漏极之间。应力调制层是具有应力调制沟槽的原位钝化层，应力调制沟槽在第一水平方向上延伸，并且在竖直方向上贯穿应力调制层。在第一水平方向的不同位置处，应力调制沟槽的在第二水平方向上的宽度不同。栅极的至少一部分填充在应力调制沟槽中。

公开(公告)号：CN117954485A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211275097.8

申请日：2022-10-18

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 叶然 ,  蔡小龙 ,  杜成林 ,  张煜 ,  刘海军 ,  段向阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件具有一个结构单元或至少两个沿第一方向重复设置的结构单元；每个结构单元均包括源极、漏极、栅极以及沿第二方向依次层叠的衬底层、成核层、势垒层和具有垂直第一方向且平行第二方向之平分截面的缓冲层，缓冲层包括沿第二方向依次层叠的多个叠层，且各叠层在第一方向的长度逐渐减缩，每层叠层具有背对衬底层且用于层叠一层势垒层的外露表面；源极、栅极和漏极沿第三方向间隔叠设于所有势垒层上，第一方向、第二方向和第三方向两两相互垂直；相邻两个结构单元的衬底层、成核层、缓冲层、源极、栅极及漏极在相互贴靠的部位分别对应连接。本实施例的HEMT器件具有优异的线性度。

公开(公告)号：CN115395905A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110572501.7

申请日：2021-05-25

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  刘文良 ,  卢阳 ,  赵子越 ,  蔡小龙 ,  杜成林 ,  张煜

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/30

Abstract: 本申请涉及通讯领域，公开了一种功率放大器偏置电路、功率放大电路及通信设备，功率放大器偏置电路包括：镜像电流源、第一电阻、第一三极管和第二三极管；镜像电流源的电源输入端和电源输出端之间设置第一电阻；以镜像电流源中直接连接电源输出端的三极管的发射极作为反馈输入端；第一三极管的基极与镜像电流源的电源输出端连接、集电极与外接偏置电源连接，发射极与功率放大器中功率管的基极连接，用于为功率管提供基极偏置电流；第二三极管的基极连接第一三极管的发射极，集电极连接反馈输入端，发射极接地。用于以解决因为功率器件自热效应导致的增益、线性度下降以及因为功率器件的二极管整流作用导致的非线性失真的问题。