公开(公告)号：CN115911125A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202111611613.5

申请日：2021-12-27

Applicant: 东芝电子元件及存储装置株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  楠本雄司 ,  田中克久 ,  原雄二郎 ,  水上诚 ,  古川大 ,  河野洋志 ,  永田真统

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 实施方式提供能够降低接触电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域；第三碳化硅区域之上的第一导电型的第四碳化硅区域及第五碳化硅区域；第一电极，包含有在第一方向上位于第四碳化硅区域与第五碳化硅区域之间的第一部分；以及金属硅化物层，设置于第一部分与第三碳化硅区域之间，与第三碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第四碳化硅区域之间，与第四碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第五碳化硅区域之间，与第五碳化硅区域相接。