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公开(公告)号：CN107851642B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201580079287.4
申请日：2015-04-27
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/11
Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠，利用所述压接型半导体器件堆叠，不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部，压接型半导体器件都能够被均匀地加压，并且利用所述压接型半导体器件堆叠，能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有：设置在上表面和下表面的加压件；绝缘座固定件，用于将由加压件施加的压力分配到外周面；以及绝缘座，其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压，其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时，压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。
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公开(公告)号：CN107851642A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580079287.4
申请日：2015-04-27
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/11
Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠，利用所述压接型半导体器件堆叠，不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部，压接型半导体器件都能够被均匀地加压，并且利用所述压接型半导体器件堆叠，能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有：设置在上表面和下表面的加压件；绝缘座固定件，用于将由加压件施加的压力分配到外周面；以及绝缘座，其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压，其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时，压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。
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公开(公告)号：CN111684587A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
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公开(公告)号：CN111684587B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
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公开(公告)号：CN112655285A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880097289.X
申请日：2018-10-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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公开(公告)号：CN110088866B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680091563.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 东芝能源系统株式会社
IPC: H01H33/04
Abstract: 提供气体绝缘开闭装置，将滞留的热气高效地除去而实现绝缘性能的提高，能够容易地达成高电压用开闭器所要求的切断任务。在可动屏蔽件(23)的内部，以操作杆(25)的活塞(25a)作为分隔壁，分别在可动触头基体(22)侧形成有压缩室(30)，在可动触头(21)侧形成有吸入室(31)。压缩室(30)借助分闸动作时的活塞(25a)的移动对压缩室(30)内的绝缘性气体进行压缩并经由连通孔(25c)、中空部(25b)以及通气孔(21a)朝在固定电弧触头(11)与可动触头(21)间产生的电弧(40)吹送绝缘性气体。吸入室(31)借助活塞(25a)的移动而室内的空间扩大由此使室内的压力下降从而将因电弧(40)而产生的高热气体从可动触头(21)与可动屏蔽件(23)之间的间隙(31a)吸入。
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公开(公告)号：CN112655285B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880097289.X
申请日：2018-10-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。
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公开(公告)号：CN110088866A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201680091563.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 东芝能源系统株式会社
IPC: H01H33/04
Abstract: 提供气体绝缘开闭装置，将滞留的热气高效地除去而实现绝缘性能的提高，能够容易地达成高电压用开闭器所要求的切断任务。在可动屏蔽件(23)的内部，以操作杆(25)的活塞(25a)作为分隔壁，分别在可动触头基体(22)侧形成有压缩室(30)，在可动触头(21)侧形成有吸入室(31)。压缩室(30)借助分闸动作时的活塞(25a)的移动对压缩室(30)内的绝缘性气体进行压缩并经由连通孔(25c)、中空部(25b)以及通气孔(21a)朝在固定电弧触头(11)与可动触头(21)间产生的电弧(40)吹送绝缘性气体。吸入室(31)借助活塞(25a)的移动而室内的空间扩大由此使室内的压力下降从而将因电弧(40)而产生的高热气体从可动触头(21)与可动屏蔽件(23)之间的间隙(31a)吸入。
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公开(公告)号：CN110050341A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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