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公开(公告)号：CN111426928B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
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公开(公告)号：CN111354794A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811583692.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。
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公开(公告)号：CN111354777A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811585004.5
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻的异质结半导体器件，包括：金属漏电极，衬底，缓冲层，缓冲层内设有电流阻挡层，在缓冲层上设有栅极结构，所述栅极结构包括金属栅电极，GaN柱，AlGaN层，所述金属栅电极上方设有金属源电极，所述电流阻挡层包括多级电流阻挡层且各层的对称中心共线，各级电流阻挡层环形内口自上而下逐级减小，有效限制了峰值电场并使其远离沟道，保证了器件耐压能力，同时减少了电流损失，AlGaN层和GaN柱在缓冲层上方呈蜂窝状分布，产生多段沟道电流，有效提高了电流能力，使得器件在导通时获得更高的开态电流，从而降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN111426928A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
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公开(公告)号：CN111354794B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811583692.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110569760B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910794798.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于近红外和远程光电体积描记术的活体检测方法，属于计算、推算、计数的技术领域。该方法：定位待检测对象的面部区域进行人脸识别；对通过人脸识别的对象获取面部的近红外光图像，通过检测近红外光图像获取红外光图像为翻拍自屏幕介质的评分；获取通过屏幕翻拍检测的对象的面部图像序列，利用远程光电体积描记术对待测图像序列进行生命体征信号的提取，辨别待检测对象是否为活体人脸。本发明提高了活体检测的鲁棒性，具备更强的分类和学习能力，能较好地应对三维面具、视频、照片翻拍等表示攻击，区分结果准确率较高。叠加最短周期信号提取生命特征信号的改进型远程光电体积描记术则无需先验知识，能够适应实际使用场景的需求。
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公开(公告)号：CN108231898B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201711343954.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。
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公开(公告)号：CN107689787B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
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公开(公告)号：CN107493095B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710674866.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/08 , H03K17/567 , H03K19/003
Abstract: 一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测，实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段，之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制，便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小，从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。
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公开(公告)号：CN107085132B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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