-
公开(公告)号：CN111426928A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
-
公开(公告)号：CN112563317A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
-
公开(公告)号：CN112563317B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
-
公开(公告)号：CN111426928B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811583665.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种氮化镓器件动态电阻测试电路，包括用于驱动待测器件的栅驱动模块、钳位电路和负载模块，负载模块的另一端连接电源DC，钳位电路包括稳压模块和高压二极管D1，高压二极管D1的阳极与稳压模块一端连接，高压二极管D1的阴极与所述负载模块的一端连接并用于连接被测氮化镓器件的漏电极，稳压模块的另一端接电源地并用于连接被测氮化镓器件的源电极，钳位电路还包括恒流模块，恒流模块输出的恒定电流经过高压二极管D1流向被测氮化镓器件。被测器件的栅控信号由驱动模块提供，被测器件导通时流过高压二极管的电流由恒流模块提供，被测器件关断时电压探测点测得的电压由稳压模块稳压，被测器件开关转换的瞬间产生的震荡由滤波模块抑制。
-
公开(公告)号：CN111354777A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811585004.5
申请日：2018-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻的异质结半导体器件，包括：金属漏电极，衬底，缓冲层，缓冲层内设有电流阻挡层，在缓冲层上设有栅极结构，所述栅极结构包括金属栅电极，GaN柱，AlGaN层，所述金属栅电极上方设有金属源电极，所述电流阻挡层包括多级电流阻挡层且各层的对称中心共线，各级电流阻挡层环形内口自上而下逐级减小，有效限制了峰值电场并使其远离沟道，保证了器件耐压能力，同时减少了电流损失，AlGaN层和GaN柱在缓冲层上方呈蜂窝状分布，产生多段沟道电流，有效提高了电流能力，使得器件在导通时获得更高的开态电流，从而降低了器件的导通电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115117154B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
-
公开(公告)号：CN114864687B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
-
公开(公告)号：CN114740325A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。
-
公开(公告)号：CN115117154A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
-
公开(公告)号：CN114740325B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电极电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电极电流变化率以进行热阻的计算。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.08 seconds)
