公开(公告)号：CN111354794B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201811583692.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  娄荣程 ,  肖魁 ,  林峰 ,  魏家行 ,  李胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。

公开(公告)号：CN111354794A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201811583692.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  娄荣程 ,  肖魁 ,  林峰 ,  魏家行 ,  李胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。