公开(公告)号：CN105826371A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510003131.X

申请日：2015-01-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张广胜 ,  张森 ,  卞鹏 ,  胡小龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。

公开(公告)号：CN105720099A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410724508.6

申请日：2014-12-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡小龙 ,  张广胜 ,  卞鹏 ,  张森

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明公开了一种N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底；形成于衬底上的第一N阱；形成于第一N阱表面的第二N阱、第一P阱、第三N阱以及第四N阱；形成于第一P阱上的源极引出区；形成于第四N阱上的漏极引出区；形成于第二N阱和第一P阱表面的第一栅极引出区；形成于第一P阱和第三N阱表面的第二栅极引出区；第一栅极引出区和第二栅极引出区分别通过金属引线引出并连接后作为N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极。上述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管设置有第一栅极引出区以及第二栅极引出区，并通过第二N阱和第一N阱形成一条新的电流通道，使得电流能力增加了将近一倍，输出电流能力较强。