公开(公告)号：CN101217163A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810019333.3

申请日：2008-01-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 鲍嘉明 ,  贾侃 ,  李海松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于P型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层。本发明还公开了高压P型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；可以保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；器件衬底电流也大大降低，器件可靠性得到进一步提高；具有较好的兼容性。