公开(公告)号：CN101217163A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810019333.3

申请日：2008-01-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 鲍嘉明 ,  贾侃 ,  李海松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于P型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层。本发明还公开了高压P型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；可以保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；器件衬底电流也大大降低，器件可靠性得到进一步提高；具有较好的兼容性。

公开(公告)号：CN101488523B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200910024951.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  吴虹 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。

公开(公告)号：CN101587909A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910032751.0

申请日：2009-06-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，P阱表面设栅氧化层且自N阱延伸至P型掺杂半导体区，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅且延伸至场氧化层的表面，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触的地方设下槽区。

公开(公告)号：CN101488523A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910024951.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  吴虹 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。