一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路

    公开(公告)号:CN102981545B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201210508888.0

    申请日:2012-12-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器(A1);曲率补偿电路包括第零PMOS管(PM0)、第一PMOS管(PM1),第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1);基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3),用于产生正温度系数电流的第零电阻(R0)和用于产生负温度系数的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。

    一种模数转换器的电容失配快速校准电路及校准方法

    公开(公告)号:CN103762982A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410018857.6

    申请日:2014-01-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种模数转换器的电容失配快速校准电路及校准方法,该电容失配快速校准电路适用于流水线型模数转换器,主要校准其多比特第一级电路中的子数模转换器中电容失配造成的转换误差。电路主要包括寄存器,存储器,计数器等数字电路模块,通过这些校准电路的校准,可在数字域实现第一级电路中电容失配的校准,电路结构简单,校准速度快,显著降低模数转换器的转换误差,提高其信噪失真比。

    基于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器

    公开(公告)号:CN103279162A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310137478.4

    申请日:2013-04-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及基准电压缓冲器,为了解决现有技术充放电速度慢、功耗大的缺点,本发明通过增加放电电流控制电路和充电电流控制电路,若负载电容处于放电的时钟相位,则放电电流控制电路中的CMOS开关阵列闭合,加快负载电容上面的电容泄放,使电容上的电压很快的下降;若负载电容处于充电的时钟相位,充电电流控制电路中CMOS开关阵列闭合,为电容提供额外的充电电路。本发明可以驱动非常大的负载电容,并在较短的时间内即可建立要求的电压精度。

    一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器

    公开(公告)号:CN103235630A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310164696.7

    申请日:2013-05-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出了一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器。所述缓冲器在传统的源极电压跟随器作为输出缓冲器的基础上,采用了新的动态电流控制方法,增加了放电电流控制电路和充电电流控制电路,使得缓冲器可以驱动非常大的负载电容,在较短的时间内即可建立到要求的电压精度;通过流水线ADC中的两相非交叠时钟控制开关阵列,开关阵列控制接入电路中的MOS管,MOS管控制缓冲电路放电电流和充电电流的大小。本发明在驱动负载电容时,大大降低缓冲器消耗的电流,从而降低电路的功耗。

    一种模数转换器的电容失配快速校准电路及校准方法

    公开(公告)号:CN103762982B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201410018857.6

    申请日:2014-01-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种模数转换器的电容失配快速校准电路及校准方法,该电容失配快速校准电路适用于流水线型模数转换器,主要校准其多比特第一级电路中的子数模转换器中电容失配造成的转换误差。电路主要包括寄存器,存储器,计数器等数字电路模块,通过这些校准电路的校准,可在数字域实现第一级电路中电容失配的校准,电路结构简单,校准速度快,显著降低模数转换器的转换误差,提高其信噪失真比。

    基于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器

    公开(公告)号:CN103279162B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310137478.4

    申请日:2013-04-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及基准电压缓冲器,为了解决现有技术充放电速度慢、功耗大的缺点,本发明通过增加放电电流控制电路和充电电流控制电路,若负载电容处于放电的时钟相位,则放电电流控制电路中的CMOS开关阵列闭合,加快负载电容上面的电容泄放,使电容上的电压很快的下降;若负载电容处于充电的时钟相位,充电电流控制电路中CMOS开关阵列闭合,为电容提供额外的充电电路。本发明可以驱动非常大的负载电容,并在较短的时间内即可建立要求的电压精度。

    一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构

    公开(公告)号:CN103326728A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310285965.5

    申请日:2013-07-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。

    一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路

    公开(公告)号:CN102981545A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210508888.0

    申请日:2012-12-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器(A1);曲率补偿电路包括第零PMOS管(PM0)、第一PMOS管(PM1),第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1);基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3),用于产生正温度系数电流的第零电阻(R0)和用于产生负温度系数的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。

    一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构

    公开(公告)号:CN103326728B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201310285965.5

    申请日:2013-07-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。

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