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公开(公告)号:CN102981545B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201210508888.0
申请日:2012-12-03
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器(A1);曲率补偿电路包括第零PMOS管(PM0)、第一PMOS管(PM1),第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1);基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3),用于产生正温度系数电流的第零电阻(R0)和用于产生负温度系数的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。
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公开(公告)号:CN103279162A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310137478.4
申请日:2013-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及基准电压缓冲器,为了解决现有技术充放电速度慢、功耗大的缺点,本发明通过增加放电电流控制电路和充电电流控制电路,若负载电容处于放电的时钟相位,则放电电流控制电路中的CMOS开关阵列闭合,加快负载电容上面的电容泄放,使电容上的电压很快的下降;若负载电容处于充电的时钟相位,充电电流控制电路中CMOS开关阵列闭合,为电容提供额外的充电电路。本发明可以驱动非常大的负载电容,并在较短的时间内即可建立要求的电压精度。
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公开(公告)号:CN103235630A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310164696.7
申请日:2013-05-08
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/16
Abstract: 本发明提出了一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器。所述缓冲器在传统的源极电压跟随器作为输出缓冲器的基础上,采用了新的动态电流控制方法,增加了放电电流控制电路和充电电流控制电路,使得缓冲器可以驱动非常大的负载电容,在较短的时间内即可建立到要求的电压精度;通过流水线ADC中的两相非交叠时钟控制开关阵列,开关阵列控制接入电路中的MOS管,MOS管控制缓冲电路放电电流和充电电流的大小。本发明在驱动负载电容时,大大降低缓冲器消耗的电流,从而降低电路的功耗。
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公开(公告)号:CN103279162B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201310137478.4
申请日:2013-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及基准电压缓冲器,为了解决现有技术充放电速度慢、功耗大的缺点,本发明通过增加放电电流控制电路和充电电流控制电路,若负载电容处于放电的时钟相位,则放电电流控制电路中的CMOS开关阵列闭合,加快负载电容上面的电容泄放,使电容上的电压很快的下降;若负载电容处于充电的时钟相位,充电电流控制电路中CMOS开关阵列闭合,为电容提供额外的充电电路。本发明可以驱动非常大的负载电容,并在较短的时间内即可建立要求的电压精度。
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公开(公告)号:CN103326728A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310285965.5
申请日:2013-07-09
Applicant: 东南大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。
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公开(公告)号:CN102981545A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210508888.0
申请日:2012-12-03
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源,该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器(A1);曲率补偿电路包括第零PMOS管(PM0)、第一PMOS管(PM1),第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第零三极管(Q0)、第一三极管(Q1);基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3),用于产生正温度系数电流的第零电阻(R0)和用于产生负温度系数的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。
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公开(公告)号:CN103326728B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201310285965.5
申请日:2013-07-09
Applicant: 东南大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构,通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声,将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中,因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形,即在相同积分器个数的情况下,将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上,提出一种噪声抑制增强技术,其所能实现的量化噪声抑制阶数,比调制器中积分器的个数要高;在实现相同性能的情况下,降低了整体功耗,减小了芯片面积,大大提高了经济效益。
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