公开(公告)号：CN103326728A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310285965.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  胡建飞 ,  徐川 ,  王海东 ,  李红 ,  田茜

IPC: H03M3/00

Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构，通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声，将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中，因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形，即在相同积分器个数的情况下，将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上，提出一种噪声抑制增强技术，其所能实现的量化噪声抑制阶数，比调制器中积分器的个数要高；在实现相同性能的情况下，降低了整体功耗，减小了芯片面积，大大提高了经济效益。

公开(公告)号：CN103326728B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201310285965.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  胡建飞 ,  徐川 ,  王海东 ,  李红 ,  田茜

IPC: H03M3/00

Abstract: 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构，通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声，将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中，因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形，即在相同积分器个数的情况下，将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上，提出一种噪声抑制增强技术，其所能实现的量化噪声抑制阶数，比调制器中积分器的个数要高；在实现相同性能的情况下，降低了整体功耗，减小了芯片面积，大大提高了经济效益。