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公开(公告)号：CN106936399B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710122511.4
申请日：2017-03-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有匹配单元、第一放大单元、复用单元、第二放大单元、第一负载单元、第三放大单元、第二负载单元和电容C4、C5、C6。匹配单元采用级联L型输入匹配网络实现50欧姆输入阻抗匹配，射频输入信号通过匹配单元经第一放大单元进行放大，放大后的信号电压通过复用单元到实现电流复用的第二放大单元进行第二次放大并送至第一负载单元，第二次放大后的信号电压还通过电容C4、C5送至采用多栅晶体管并联技术的第三放大单元进行第三次放大并送至负载单元并通过电容C6输出射频输出信号。
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公开(公告)号：CN104104336A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410274038.8
申请日：2014-06-18
Applicant: 东南大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 一种具有噪声抵消的低功耗宽带射频前端电路，包括低噪声放大器和下变频混频器，低噪声放大器的输出连接下变频混频器的输入端，其特征在于，低噪声放大器包括信号合成单元及第一、第二两个输入放大单元，差分射频输入信号的正、负两端分别连接第一、第二两个输入放大单元的正输入端和负输入端，第一和第二两个输入放大单元的输出送给信号合成单元，信号合成单元输出送入第一、第二两个混频单元，第一混频单元和第二混频单元分别通过开关控制输入的射频电流信号，将射频电流信号下变频到中频频段，通过下变频混频器输出同相差分中频信号和正交差分中频信号。
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公开(公告)号：CN107248850B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710270401.2
申请日：2017-04-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号。
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公开(公告)号：CN108900172A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810569437.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种宽带单端输入高精度正交差分输出信号产生电路，在传统Marchand巴伦级联正交信号产生电路基础上，级间插入宽带差分放大器，使宽带差分放大器的输入电阻与Marchand巴伦的输出电阻匹配，宽带差分放大器的输出电阻与正交信号产生电路的输入电阻匹配，以降低正交信号产生电路输出端容性负载对Marchand巴伦的影响，提高Marchand巴伦产生的正交信号的精度，进而减小正交信号产生电路输出的正交差分信号的相位误差和幅度误差，同时降低Marchand巴伦的输出电阻对正交信号产生电路的影响，进一步提高正交差分信号的精度，正交信号产生电路为已知的多相滤波器(PPF)或正交全通滤波器(QAF)。
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公开(公告)号：CN108900172B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810569437.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种宽带单端输入高精度正交差分输出信号产生电路，在传统Marchand巴伦级联正交信号产生电路基础上，级间插入宽带差分放大器，使宽带差分放大器的输入电阻与Marchand巴伦的输出电阻匹配，宽带差分放大器的输出电阻与正交信号产生电路的输入电阻匹配，以降低正交信号产生电路输出端容性负载对Marchand巴伦的影响，提高Marchand巴伦产生的正交信号的精度，进而减小正交信号产生电路输出的正交差分信号的相位误差和幅度误差，同时降低Marchand巴伦的输出电阻对正交信号产生电路的影响，进一步提高正交差分信号的精度，正交信号产生电路为已知的多相滤波器(PPF)或正交全通滤波器(QAF)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108767378A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810392296.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于L‑C谐振的宽带正交全通滤波器，在包括电感L1、L2，电容C1、C2，以及电阻R1和R2构成的差分正交网络的现有技术基础上，增设了R3、R4、R5和R6四个电阻，R3连接在C1与R1之间；R4连接在L2与R1之间；R5连接在L1与R2之间；R6连接在C2与R2之间。降低了差分正交网络的Q值及其对负载电容的敏感程度，进一步拓展了正交全通滤波器的带宽，在相同负载电容下，满足输出正交差分信号的相位误差绝对值
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公开(公告)号：CN107241074A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710273813.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器，设有输入主共栅放大单元、扼流单元、跨导增强共栅放大单元和负载单元。输入主共栅放大单元采用两路差分共栅结构，与此同时，跨导增强共栅放大单元和输入主共栅放大单元在信号输入端形成并联结构，从而一起实现低噪声放大器50欧姆输入阻抗匹配。扼流单元提供直流通路到地，并对输入的交流信号进行扼流。射频输入信号通过输入主共栅放大单元，跨导增强共栅放大单元送至负载单元，最终输出放大的电压差分信号。
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公开(公告)号：CN106876388A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710137859.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L27/0262 , H01L27/0296
Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106876388B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710137859.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN107248850A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710270401.2
申请日：2017-04-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号。
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