公开(公告)号：CN106876388B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710137859.0

申请日：2017-03-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 李智群 ,  程国枭 ,  乐鹏飞 ,  李芹 ,  何小东 ,  何波涌

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。

公开(公告)号：CN106876388A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710137859.0

申请日：2017-03-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 李智群 ,  程国枭 ,  乐鹏飞 ,  李芹 ,  何小东 ,  何波涌

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0296

Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。