一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路

    公开(公告)号:CN106876388B

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201710137859.0

    申请日:2017-03-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路,包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点,将Poly多晶硅嵌入可控硅中,从而实现低触发电压和低寄生电容的特性,此外,本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。

    一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN107248850A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201710270401.2

    申请日:2017-04-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器,设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元;射频输入信号连接放大单元,放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元,级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元,输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元,反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号。

    一种低噪声高输出电阻的跨导放大器

    公开(公告)号:CN106059505A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610447515.5

    申请日:2016-06-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低噪声高输出电阻的跨导放大器,设有晶体管M1、M2、M3,电感Lm、Lg,电容Cd、Cb、电阻R1和R2。输入信号连接M1栅极,源极接地,偏置经R1加在M1栅极,M1漏极与M3源极、Cd和Lm的一端连接,Cd和Lm的另一端分别连接M2栅极和源极,M2源极与Cb的一端连接,Cb的另一端接地,R2在Vdd与M2的栅极之间,Lg在M2的漏极与Vdd之间,M2漏极连接M3栅极,M3漏极为电流输出端。由于引入反馈,加在M3栅源间的电压得到增强,提高了等效跨导,输出电阻升高,而由M3引入的噪声被抑制。本发明同时具有高跨导、高输出电阻和低噪声等特点,使其适合毫米波低噪声放大器等应用场合。

    一种低功耗高增益的上混频器

    公开(公告)号:CN103117707B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201310019794.1

    申请日:2013-01-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低功耗高增益的上混频器,设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元,电流源单元的输出连接输入跨导单元,输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号,然后分别输出至开关单元和电流注入单元,开关单元的输出连接负载单元,差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出,差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间,本振输入信号输入至开关单元。

    一种低功耗高增益的上混频器

    公开(公告)号:CN103117707A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201310019794.1

    申请日:2013-01-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种低功耗高增益的上混频器,设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元,电流源单元的输出连接输入跨导单元,输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号,然后分别输出至开关单元和电流注入单元,开关单元的输出连接负载单元,差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出,差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间,本振输入信号输入至开关单元。

    镜像抑制低噪声放大器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1667969A

    公开(公告)日:2005-09-14

    申请号:CN200510038725.0

    申请日:2005-04-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种无线通信系统接收机镜像抑制低噪声放大器,包括前级放大器、后级放大器和输出匹配电路,前级放大器的公共端接地,后级放大器的公共端接电源电压VDD,后级放大器的输出端与输出匹配电路输入端连接,在前级放大器的输出端和后级放大器的输入端之间连接有谐振网络,所述前级放大器的输出端A与谐振网络的输入端连接,所述后级放大器的输入端B与谐振网络的输出端连接。本发明具有通过将传统的共源共栅放大器源极与漏极连接处断开等处理,大大增强了低噪声放大器的镜像抑制能力,本发明的镜像抑制甚至可达65dB以上,所涉及的镜像抑制低噪声放大器不仅设计简单,同时具有单片集成的特点。

    一种宽带电阻反馈增益可变低噪声放大器

    公开(公告)号:CN119109422A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411285099.4

    申请日:2024-09-13

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供一种宽带电阻反馈增益可变低噪声放大器,设有输入匹配单元、放大单元、反馈单元、负载单元以及增益切换单元。射频输入单端信号连接输入匹配单元,输入匹配单元的输出连接放大单元,放大单元连接到反馈单元输入,反馈单元连接到输入匹配单元的输入,放大单元同时连接到输出负载单元,输出负载单元输出射频双端射频信号,增益切换单元连接到反馈单元和负载单元。本发明在传统的增益切换方案上增加了晶体管M4和电阻M4,在降低负载端阻抗的同时减小了反馈电阻的值,在降低增益的同时维持了S11的宽带特性,实现了一个增益可切换的宽带电阻反馈低噪声放大器。

    一种具有深回退区间的四管G类数字功率放大器

    公开(公告)号:CN118890010A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410977307.0

    申请日:2024-07-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有深回退区间的四管G类数字功率放大器,涉及射频集成电路的技术领域,进一步降低了数字功率放大器的开关损耗,拓展了功率回退区间,提高了数字功率放大器的效率。所提出的数字功率放大器采用三种回退效率增强技术,分别是Doherty负载调制技术、Class‑G电源调制技术和次谐波开关技术,其中次谐波开关技术中将二次和三次次谐波进行结合,实现回退区间的拓展;子PA单元采用四管结构,减少了寄生电容充放电对效率的影响,从而实现高效率的数字功率放大器。

    基于无源Balun的宽带高增益高线性度低噪声放大器

    公开(公告)号:CN113630090A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110918863.7

    申请日:2021-08-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于无源Balun的宽带高增益高线性度低噪声放大器,设有输入匹配单元、放大单元、反馈单元以及负载单元。射频输入单端信号连接输入匹配单元,输入匹配单元的输出连接放大单元,放大单元连接到反馈单元输入,反馈单元连接到输入匹配单元的输入,放大单元同时连接到输出负载单元,输出负载单元输出射频双端射频信号。本发明能在保证宽带特性的基础上,降低放大器的噪声,提高放大器的增益和线性度,并且实现单端信号输入,双端信号输出的有益效果。

Patent Agency Ranking