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公开(公告)号：CN116377391A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310424226.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 东南大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/18 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法，所述的半导体电极接触的设备包括在真空腔体(7)中的控温单元(3)、热界面黏附层(4)、衬底(5)、沉积源(6)、进气口(1)、出气口(2)；将氩气通过进气口管道引入真空腔体中，氩气流动经过衬底位置，从出气口排出；控温单元控制衬底温度在更低的温度区间，利用氩气分子缓冲降低金属原子沉积至样品前的动能，控温单元使衬底附近氩气分子和沉积金属原子迅速降温，从而达到金属原子在半导体材料晶格上软着陆，本发明具有较低的样品温度，使得沉积的金属颗粒过冷细化，更易沉积形成平整的金属薄膜，获得堆叠更紧密的金属‑半导体界面。
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公开(公告)号：CN113652744B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN113417002A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN115261978A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211037683.9
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种通过化学气相沉积法制备具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜的方法，通过磁控溅射制备出（111）晶面的镍单晶薄膜，再沉积一层铁，获得（111）晶面的铁镍合金薄膜；将该薄膜作为催化衬底，置于石英舟中，放在管式炉中的恒温区域；以氨硼烷作为前驱体，置于钽舟中，再将钽舟放在所述石英舟上风口位置；对铁镍合金薄膜衬底进行退火处理；将钽舟放在石英管内，加热带裹在钽舟位置处的石英管管壁外，加热至100‑120℃，铁镍合金薄膜衬底上开始生长多层氮化硼；待管式炉降至室温后，取出具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜。通过此方法，最终能够实现大面积连续、单晶的、AB堆垛的、具有铁电性的氮化硼薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113417002B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN113652744A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN114790576B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210456838.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备B10或B11同位素富集的六方氮化硼单晶的方法，该方法使用低成本的同位素富集的硼酸进行同位素富集六方氮化硼单晶的生长，基于大规模国产化的低成本硼酸作为原料，利用常压高温方法来制备高质量、高丰度六方氮化硼单晶。这种方法的特点是：1.结构简单，成本优势巨大并且生长效果显著，可有效的抵制美国对于原料的控制，可在一定程度上提高国内硼同位素相关产品研发的进度；2.获得的单晶质量比拟于或者优于硼粉方法制备的单晶。
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公开(公告)号：CN115261978B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211037683.9
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种通过化学气相沉积法制备具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜的方法，通过磁控溅射制备出（111）晶面的镍单晶薄膜，再沉积一层铁，获得（111）晶面的铁镍合金薄膜；将该薄膜作为催化衬底，置于石英舟中，放在管式炉中的恒温区域；以氨硼烷作为前驱体，置于钽舟中，再将钽舟放在所述石英舟上风口位置；对铁镍合金薄膜衬底进行退火处理；将钽舟放在石英管内，加热带裹在钽舟位置处的石英管管壁外，加热至100‑120℃，铁镍合金薄膜衬底上开始生长多层氮化硼；待管式炉降至室温后，取出具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜。通过此方法，最终能够实现大面积连续、单晶的、AB堆垛的、具有铁电性的氮化硼薄膜。
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公开(公告)号：CN114790576A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210456838.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备B10或B11同位素富集的六方氮化硼单晶的方法，该方法使用低成本的同位素富集的硼酸进行同位素富集六方氮化硼单晶的生长，基于大规模国产化的低成本硼酸作为原料，利用常压高温方法来制备高质量、高丰度六方氮化硼单晶。这种方法的特点是：1.结构简单，成本优势巨大并且生长效果显著，可有效的抵制美国对于原料的控制，可在一定程度上提高国内硼同位素相关产品研发的进度；2.获得的单晶质量比拟于或者优于硼粉方法制备的单晶。
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