公开(公告)号：CN116377391A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310424226.3

申请日：2023-04-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 万能 ,  陈若望 ,  田明 ,  王明渊 ,  束俊鹏 ,  施辉 ,  谭淋丰

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/26 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法，所述的半导体电极接触的设备包括在真空腔体(7)中的控温单元(3)、热界面黏附层(4)、衬底(5)、沉积源(6)、进气口(1)、出气口(2)；将氩气通过进气口管道引入真空腔体中，氩气流动经过衬底位置，从出气口排出；控温单元控制衬底温度在更低的温度区间，利用氩气分子缓冲降低金属原子沉积至样品前的动能，控温单元使衬底附近氩气分子和沉积金属原子迅速降温，从而达到金属原子在半导体材料晶格上软着陆，本发明具有较低的样品温度，使得沉积的金属颗粒过冷细化，更易沉积形成平整的金属薄膜，获得堆叠更紧密的金属‑半导体界面。