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公开(公告)号：CN114790576A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210456838.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备B10或B11同位素富集的六方氮化硼单晶的方法，该方法使用低成本的同位素富集的硼酸进行同位素富集六方氮化硼单晶的生长，基于大规模国产化的低成本硼酸作为原料，利用常压高温方法来制备高质量、高丰度六方氮化硼单晶。这种方法的特点是：1.结构简单，成本优势巨大并且生长效果显著，可有效的抵制美国对于原料的控制，可在一定程度上提高国内硼同位素相关产品研发的进度；2.获得的单晶质量比拟于或者优于硼粉方法制备的单晶。
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公开(公告)号：CN116454572A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310669866.0
申请日：2023-06-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种由顶部超材料层、金属电极、衬底层和底部超材料层组成的一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器，属于太赫兹技术领域。顶部超材料层由周期性金属阵列结构组成，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料砷化镓，衬底下表面的底部超材料层由周期性金属阵列结构组成，两个金属电极制作在重掺杂的衬底的上表面；通过两个金属电极在半导体衬底上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强横向电场会引起半导体材料的负微分电阻效应，这将改变半导体衬底的材料性质，从而影响器件的谐振频率和透射率，形成了一种主动电调控太赫兹超材料滤波器件。
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公开(公告)号：CN114790576B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210456838.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备B10或B11同位素富集的六方氮化硼单晶的方法，该方法使用低成本的同位素富集的硼酸进行同位素富集六方氮化硼单晶的生长，基于大规模国产化的低成本硼酸作为原料，利用常压高温方法来制备高质量、高丰度六方氮化硼单晶。这种方法的特点是：1.结构简单，成本优势巨大并且生长效果显著，可有效的抵制美国对于原料的控制，可在一定程度上提高国内硼同位素相关产品研发的进度；2.获得的单晶质量比拟于或者优于硼粉方法制备的单晶。
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