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公开(公告)号:CN118631181A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410791367.3
申请日:2024-06-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子群优化算法的高精度可变增益放大器,包括底层可变增益放大器跨导阵列第一晶体管M1,i、第二晶体管M2,i、第三晶体管M3,i、第四晶体管M4,i,底层可变增益放大器尾电流源第五晶体管M5,i、第六晶体管M6,i,级间匹配网络第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4,顶层可变增益放大器跨导阵列的第七共栅晶体管M7,j、第八共栅晶体管M8,j、第九共栅晶体管M9,j、第十共栅晶体管M10,j,顶层可变增益放大器主放大通路的第十一共源晶体管M11、第十二共源晶体管M12,隔直电容;通过结合粒子群优化算法的设计方法进行晶体管尺寸的选择,本发明实现了高精度、大调节范围的可变增益放大器,同时能够应对工艺角、温度、电压偏差引起的性能变化。
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公开(公告)号:CN118611602A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410766175.7
申请日:2024-06-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反向NMOS变容管的线性化电路,该线性化电路为一对反向的NMOS变容管和中间节点并联第一电感(L1)构成的T形网络,该反向NMOS变容管对的漏极和源极连接到放大器差分输入端(IN+、IN‑),栅极通过第一电阻(R1)连接到控制电压(Vctr)。在差模下,该线性化电路作为反向NMOS变容器对,变容管电容变化方向与功率放大器中非线性输入电容变化方向相反,有效地补偿了功率放大器的非线性输入电容的影响;在共模下,该线性化电路作为“电容‑电感‑电容”型的二次谐波陷波网络,有效抑制二次谐波。因此,通过采用基于反向NMOS变容管的线性化电路可以同时补偿放大器输入端的非线性输入电容和抑制二次谐波反馈,从而有效的减轻宽带内的幅度‑相位(AM‑PM)失真,提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号:CN118573140A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410766183.1
申请日:2024-06-14
Applicant: 东南大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种基于片上变压器的频率路径可切换匹配器,由低频路径输入端、低频路径输入开关、低频路径输入并联电容、低频路径变压器初级线圈依次并联连接,低频路径变压器次级线圈两端与输出并联电容两端连接;高频路径输入端、高频路径输入开关、高频路径输入并联电容、高频路径变压器初级线圈依次并联连接,高频路径变压器次级线圈两端与输出并联电容两端连接;输出并联电容两端和输出端并联连接;本发明实现低频或高频路径射频信号输入时该路径宽带阻抗匹配,并利用网络呈现出的对另一路径干扰信号的陷波特性,实现对干扰信号的抑制,提升多频段射频收发机信噪比及系统频率可配置性。
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公开(公告)号:CN118611603A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410766177.6
申请日:2024-06-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种增强稳定性的跨导提升线性功率放大器。该功率放大器采用共源共栅结构,在共源级的栅极和漏极引入交叉电容中和技术提高增益和隔离度,在共栅级的栅极和源极引入跨导提升技术进一步提高增益和功率附加效率。为了解决跨导提升技术带来的稳定性问题,提出了一种漏源电容中和技术,有效地提高了整体放大器的稳定性。此外,在共源级、共栅级的中间节点和共栅级的栅极各自引入一个“电感‑电容‑电感”型的二次谐波陷波网络以抑制二次谐波,在宽带内有效地减轻了AM‑PM失真,提高了线性度。
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公开(公告)号:CN117595816A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311627097.4
申请日:2023-11-29
Applicant: 东南大学
IPC: H03H7/06
Abstract: 本发明公开了一种带宽及PVT可调的基带无源低通滤波器电路,包括:输入端INPUT,滤波器串联电感L1、L2、L3,滤波器磁耦合电感L4、L5、L6及其对应控制开关S1、S2、S3,滤波器并联电容C4、C7,滤波器可调串联电容C1、C2、C3,滤波器可调并联电容C5、C6和输出端OUTPUT。本发明基于7阶椭圆滤波器的原理,利用可调电容有效实现了极零点的改变,从而实现了收发机基带低通滤波器带宽220/440/880MHz可调,以及对于PVT的鲁棒性。
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公开(公告)号:CN113379931A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110742104.X
申请日:2021-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合现实技术的智能超表面设计平台,包括客户端和服务器端,所述客户端运行于头戴式设备上,其中,所述客户端用于进行人机交互和显示结果,所述服务器端用于实现超表面远场函数快速仿真。通过本发明可以实现基于混合现实技术的智能超表面设计平台的设计和测试,在辅助超表面设计、减轻电磁器件测试环境要求、推进超表面商用化产品化进程中具有较大的应用前景。
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