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公开(公告)号：CN118826652A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410774320.6
申请日：2024-06-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出一种基于三线圈变压器的紧凑型可变增益低噪声放大器，包括输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大器、可变增益电路、输出匹配网络共六个部分。通过调节可变增益电路中第三开关晶体管M3与第四开关晶体管M4的栅极电压，使电路工作于三种不同模式。当第三开关晶体管M3与第四开关晶体管M4均关断时，可变增益低噪声放大器工作在最高增益状态。随着栅极偏置电压Vgc逐渐升高，无源晶体管将进入模式2，其输出阻抗ro1减小。当ro1>>ro时，可变增益电路将近似等效为一个无源衰减器结构。当Vgc进一步增大时，无源晶体管工作在模式3，第二晶体管M2的漏端电流将流过无源衰减器，降低第二晶体管M2的跨导gm，进而降低可变增益低噪声放大器的增益。
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公开(公告)号：CN118611603A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410766177.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种增强稳定性的跨导提升线性功率放大器。该功率放大器采用共源共栅结构，在共源级的栅极和漏极引入交叉电容中和技术提高增益和隔离度，在共栅级的栅极和源极引入跨导提升技术进一步提高增益和功率附加效率。为了解决跨导提升技术带来的稳定性问题，提出了一种漏源电容中和技术，有效地提高了整体放大器的稳定性。此外，在共源级、共栅级的中间节点和共栅级的栅极各自引入一个“电感‑电容‑电感”型的二次谐波陷波网络以抑制二次谐波，在宽带内有效地减轻了AM‑PM失真，提高了线性度。
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公开(公告)号：CN118611602A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410766175.7
申请日：2024-06-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反向NMOS变容管的线性化电路，该线性化电路为一对反向的NMOS变容管和中间节点并联第一电感(L1)构成的T形网络，该反向NMOS变容管对的漏极和源极连接到放大器差分输入端(IN+、IN‑)，栅极通过第一电阻(R1)连接到控制电压(Vctr)。在差模下，该线性化电路作为反向NMOS变容器对，变容管电容变化方向与功率放大器中非线性输入电容变化方向相反，有效地补偿了功率放大器的非线性输入电容的影响；在共模下，该线性化电路作为“电容‑电感‑电容”型的二次谐波陷波网络，有效抑制二次谐波。因此，通过采用基于反向NMOS变容管的线性化电路可以同时补偿放大器输入端的非线性输入电容和抑制二次谐波反馈，从而有效的减轻宽带内的幅度‑相位(AM‑PM)失真，提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN118631181A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410791367.3
申请日：2024-06-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粒子群优化算法的高精度可变增益放大器，包括底层可变增益放大器跨导阵列第一晶体管M1,i、第二晶体管M2,i、第三晶体管M3,i、第四晶体管M4,i，底层可变增益放大器尾电流源第五晶体管M5,i、第六晶体管M6,i，级间匹配网络第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4，顶层可变增益放大器跨导阵列的第七共栅晶体管M7,j、第八共栅晶体管M8,j、第九共栅晶体管M9,j、第十共栅晶体管M10,j，顶层可变增益放大器主放大通路的第十一共源晶体管M11、第十二共源晶体管M12，隔直电容；通过结合粒子群优化算法的设计方法进行晶体管尺寸的选择，本发明实现了高精度、大调节范围的可变增益放大器，同时能够应对工艺角、温度、电压偏差引起的性能变化。
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