一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法

    公开(公告)号:CN113257847B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202110519054.9

    申请日:2021-05-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构,使其横向的载流子迁移率降低,载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中,光生载流子在纵向电场作用下,从顶电极向底电极输运,形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用,产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小,所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合,因此降低了邻近像素的串扰电荷信号,最终提高了γ射线的成像空间分辨率。

    一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114551726A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210156298.X

    申请日:2022-02-21

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法,采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体,获得较高的光子吸收和转换效率。利用溶液掺杂外延的方法在本征钙钛矿晶体两端分别生长钙钛矿P型层和N型层,构成钙钛矿PIN结,并利用结区耗尽层势垒抑制暗电流和噪声。在结区外延生长窄带隙量子点,构成能带陷阱。当高能光子入射后,钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱,并发生隧穿场致发射,获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较,由于引入了隧穿场发射结构,可以获得较高的光电流增益。与高能光子雪崩二极管探测结构向比较,由于不产生随机的雪崩效应,所以散粒噪声比较小。

    一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法

    公开(公告)号:CN111477644B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202010241221.3

    申请日:2020-03-31

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法,成像器件从下往上依次为:透明基板、透明电极、短波势垒调节层、短波光电转换层、中波势垒调节层、中波光电转换层、长波势垒调节层、长波光电转换层、钝化层、收集电极。成像方法为:首先利用单色光源对成像器件在不同波长光谱通道的响应度进行标定;其次调控成像器件的偏置电压,对应每个空间点获得一系列探测电流值;最后根据标定的不同光谱通道响应度,以及不同偏置电压的探测电流值,通过波分复用算法计算出每个空间点的光谱信息,获得光谱成像数据立方。本发明实现从近红外到紫外的宽光谱成像,利用偏置电压编码和波分复用算法重构,可以同时获得较高的光谱和空间分辨率。

    一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法

    公开(公告)号:CN111477644A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010241221.3

    申请日:2020-03-31

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法,成像器件从下往上依次为:透明基板、透明电极、短波势垒调节层、短波光电转换层、中波势垒调节层、中波光电转换层、长波势垒调节层、长波光电转换层、钝化层、收集电极。成像方法为:首先利用单色光源对成像器件在不同波长光谱通道的响应度进行标定;其次调控成像器件的偏置电压,对应每个空间点获得一系列探测电流值;最后根据标定的不同光谱通道响应度,以及不同偏置电压的探测电流值,通过波分复用算法计算出每个空间点的光谱信息,获得光谱成像数据立方。本发明实现从近红外到紫外的宽光谱成像,利用偏置电压编码和波分复用算法重构,可以同时获得较高的光谱和空间分辨率。

    一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法

    公开(公告)号:CN113257847A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110519054.9

    申请日:2021-05-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构,使其横向的载流子迁移率降低,载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中,光生载流子在纵向电场作用下,从顶电极向底电极输运,形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用,产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小,所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合,因此降低了邻近像素的串扰电荷信号,最终提高了γ射线的成像空间分辨率。

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