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公开(公告)号：CN108831905A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810521330.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法，该系统从下往上依次包括透明基板、透明电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、网格电极、绝缘介质层、P型掺杂层、量子点红外光电转换层、N型掺杂层和后收集电极，还包括红外探测结构电源和可见光发光结构电源；透明电极与可见光发光结构电源的正极相连接；网格电极与可见光发光结构电源和红外探测结构电源的负极相连接；后收集电极与红外探测结构电源的正极相连接。本发明将探测结构和显示结构集成，实现了探测单元对显示像素的直接耦合，将入射的红外图像直接转换为可见光图像；制备时不需要像素化电极，极大地简化了制备过程，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN108831905B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201810521330.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体量子点的红外探测‑可见光显示集成系统、制备方法及成像方法，该系统从下往上依次包括透明基板、透明电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、网格电极、绝缘介质层、P型掺杂层、量子点红外光电转换层、N型掺杂层和后收集电极，还包括红外探测结构电源和可见光发光结构电源；透明电极与可见光发光结构电源的正极相连接；网格电极与可见光发光结构电源和红外探测结构电源的负极相连接；后收集电极与红外探测结构电源的正极相连接。本发明将探测结构和显示结构集成，实现了探测单元对显示像素的直接耦合，将入射的红外图像直接转换为可见光图像；制备时不需要像素化电极，极大地简化了制备过程，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN111477644B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010241221.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/779 , H04N25/78
Abstract: 本发明公开了一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法,成像器件从下往上依次为：透明基板、透明电极、短波势垒调节层、短波光电转换层、中波势垒调节层、中波光电转换层、长波势垒调节层、长波光电转换层、钝化层、收集电极。成像方法为：首先利用单色光源对成像器件在不同波长光谱通道的响应度进行标定；其次调控成像器件的偏置电压，对应每个空间点获得一系列探测电流值；最后根据标定的不同光谱通道响应度，以及不同偏置电压的探测电流值，通过波分复用算法计算出每个空间点的光谱信息，获得光谱成像数据立方。本发明实现从近红外到紫外的宽光谱成像，利用偏置电压编码和波分复用算法重构，可以同时获得较高的光谱和空间分辨率。
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公开(公告)号：CN111477644A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010241221.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法,成像器件从下往上依次为：透明基板、透明电极、短波势垒调节层、短波光电转换层、中波势垒调节层、中波光电转换层、长波势垒调节层、长波光电转换层、钝化层、收集电极。成像方法为：首先利用单色光源对成像器件在不同波长光谱通道的响应度进行标定；其次调控成像器件的偏置电压，对应每个空间点获得一系列探测电流值；最后根据标定的不同光谱通道响应度，以及不同偏置电压的探测电流值，通过波分复用算法计算出每个空间点的光谱信息，获得光谱成像数据立方。本发明实现从近红外到紫外的宽光谱成像，利用偏置电压编码和波分复用算法重构，可以同时获得较高的光谱和空间分辨率。
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