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公开(公告)号：CN113257847B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN117169947A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311059276.2
申请日：2023-08-21
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体γ射线光子计数器结构及其制备方法，钙钛矿晶体γ射线光子计数器结构包括具有带隙梯度分布且不掺杂的钙钛矿晶体、p型钙钛矿层以及n型钙钛矿层；所述钙钛矿晶体具有相对的第一表面和第二表面，所述p型钙钛矿层设置在所述第一表面上，所述n型钙钛矿层设置在所述第二表面上；所述钙钛矿晶体的能量带隙自所述第一表面到所述第二表面逐渐增大或者逐渐减小。本发明通过p型钙钛矿层和n型钙钛矿层之间的具有带隙梯度分布且不掺杂的钙钛矿晶体，提高各晶体层之间的晶格匹配率，有效抑制了钙钛矿的离子迁移，减低了探测信号的基线漂移和噪声。
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公开(公告)号：CN114551726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210156298.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法，采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体，获得较高的光子吸收和转换效率。利用溶液掺杂外延的方法在本征钙钛矿晶体两端分别生长钙钛矿P型层和N型层，构成钙钛矿PIN结，并利用结区耗尽层势垒抑制暗电流和噪声。在结区外延生长窄带隙量子点，构成能带陷阱。当高能光子入射后，钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱，并发生隧穿场致发射，获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较，由于引入了隧穿场发射结构，可以获得较高的光电流增益。与高能光子雪崩二极管探测结构向比较，由于不产生随机的雪崩效应，所以散粒噪声比较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116755132A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310759270.X
申请日：2023-06-26
Abstract: 本发明涉及一种双能X射线探测器结构及探测方法，包括电源组件、探测组件；探测组件包括光子吸收体、第一电极组件及第二电极组件；光子吸收体包括第一侧、以与第一侧对置的第二侧；第一电极组件贴设在第一侧，第二电极组件贴设在第二侧；第一电极组件包括第一电极及第二电极，第一电极与正极输出端连接，第二电极与接地输出端连接；第二电极组件包括第三电极及第四电极，第三电极与正极输出端连接，第四电极与接地输出端连接。本发明技术方案中该双能X射线探测器不需要时间和空间的校准；探测速度快，探测器成本低；可分别获取低能和高能X射线的信号，能更好地区分被探测物体的密度。
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公开(公告)号：CN114464751B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN116940132A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310910774.7
申请日：2023-07-24
Abstract: 本发明公开了一种可弯曲的X射线探测器及其制备方法，X射线探测器包括柔性衬底、设置在所述柔性衬底上的底电极层、依次叠设在所述底电极层上的第一半导体多晶膜层和第二半导体多晶膜层、设置在所述第二半导体多晶膜层上的顶电极层；所述第一半导体多晶膜层和所述第二半导体多晶膜层中，一者为n型半导体，另一者为p型半导体。本发明的可弯曲的X射线探测器，以柔性衬底作为基板，配合n型和p型半导体及电极等形成可弯曲的X射线探测器，具有结构简单、空间分辨率高和价格低廉的特点，适用于X射线CT成像系统。
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公开(公告)号：CN114464751A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN113257847A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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