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公开(公告)号:CN101753000A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910263229.3
申请日:2009-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公布了一种栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路及方法,本发明所述驱动电路包括上管驱动电路和下管驱动电路,其特征在于所述上管驱动电路包括第一至第四电阻、自举电容、第二电容、第一和第二二极管、第一和第二PNP型三极管以及第一NPN型三极管,所述下管驱动电路包括第五至第九电阻、第三和第四电容、第三二极管、第三和第四PNP型三极管以及第二NPN型三极管。本发明方法实现上下功率MOS管结构的栅极驱动电平转换、下管栅极驱动及上管栅极浮置驱动。本发明不采用任何驱动芯片,仅用电阻、电容、三极管等普通分立元器件构成,成本低、可靠性、稳定性高且驱动效率高。
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公开(公告)号:CN201590755U
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200920283570.0
申请日:2009-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本实用新型公布了一种栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路,本实用新型所述驱动电路包括上管驱动电路和下管驱动电路,其特征在于所述上管驱动电路包括第一至第四电阻、自举电容、第二电容、第一和第二二极管、第一和第二PNP型三极管以及第一NPN型三极管,所述下管驱动电路包括第五至第九电阻、第三和第四电容、第三二极管、第三和第四PNP型三极管以及第二NPN型三极管。本实用新型不采用任何驱动芯片,仅用电阻、电容、三极管等普通分立元器件构成,成本低、可靠性、稳定性高且驱动效率高。
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