一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-SiMFS结构信息存储电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN103578929B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201310529508.6

    申请日:2013-10-30

    Applicant: 东华大学

    Abstract: 本发明涉及一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法,包括:将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨,预烧,然后进行球磨,加入粘结剂PVA,压成圆片,烧结,得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材;采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜;通过真空热蒸发,金属电极膜沉积在硅片背面;然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜,即得。本发明射频磁控溅射Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构电容器可满足计算机不挥发性铁电信息存储器件的应用要求,具有重要应用前景。

    多维调整作动及分频抑振一体化平台

    公开(公告)号:CN115473452A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211166740.3

    申请日:2022-09-23

    Applicant: 东华大学

    Abstract: 多维调整作动及分频抑振一体化平台,涉及光学薄膜、细胞操作、基因编辑等领域。抑振一体机构和分频抑振支撑柱内部开有可以嵌入局部谐振超结构的矩形槽,抑振一体机构通过沉头螺栓与上支撑圆盘、下支撑圆盘固定连接,压电电机安装在底座与下支撑圆盘之间,底座放置可活动的垫块,预紧螺栓给垫块施加推力,然后传到压电电机驱动器上,实现了对驱动器的预应力调节。本发明通过单一驱动源来实现多维精密调整,同时配合嵌入式超结构抑振方案设计,可实现对外界不同频带振动的抑制,从而提高平台末端的输出精度,完成相关功能。

    一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-SiMFS结构信息存储电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN103578929A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310529508.6

    申请日:2013-10-30

    Applicant: 东华大学

    Abstract: 本发明涉及一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法,包括:将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨,预烧,然后进行球磨,加入粘结剂PVA,压成圆片,烧结,得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材;采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜;通过真空热蒸发,金属电极膜沉积在硅片背面;然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜,即得。本发明射频磁控溅射Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构电容器可满足计算机不挥发性铁电信息存储器件的应用要求,具有重要应用前景。

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