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公开(公告)号：CN119530979A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411733361.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种低应力碳化硅单晶生长感应炉及碳化硅单晶生长方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。本发明提供的低应力的碳化硅单晶生长真空感应炉包括支撑筒、感应炉上盖及感应炉下盖，感应炉上盖设置在支撑筒的上部，感应炉下盖设置在支撑筒的下部。本发明将保温层分为上、下两部分，通过升降机构对上保温层位置进行控制，在生长炉上盖增加堵头输运机构，将中部测温孔移到坩埚外缘进行测温，使得测温孔直径实现最小化，碳化硅籽晶径向温度梯度减小。采用所提供装置进行碳化硅单晶生长过程中，通过改进生长工艺，采用构建的函数控制生长过程中的温度，实现碳化硅晶锭生长面温度的精确控制，提高碳化硅晶锭晶型的稳定性，从而减小碳化硅晶锭的应力。
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