公开(公告)号：CN115128000A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210271897.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场STEC

Inventor： 古屋雄一 ,  田中雅之 ,  坂口有平 ,  南雅和 ,  志水彻

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/3518

Abstract: 本发明提供一种即使是由吸收光谱重叠的DCR气体与CO气体构成的混合气体，也能够仅分离DCR气体的吸光度而计算出其浓度的DCR气体用吸光分析装置，DCR气体用吸光分析装置具备：DCR用滤光器(31)，其使包含DCR气体的吸收峰的第一波数范围的光透过；CO用滤光器(32)，其使处于CO气体的吸收波数范围且与所述第一波数范围不同的第二波数范围的光透过；以及DCR气体量计算器(4)，其基于利用透过了所述DCR用滤光器(31)的光而测定的第一吸光度(A1)、以及利用透过了所述CO用滤光器(32)的光而测定的第二吸光度(AC2)，计算出所述DCR气体的量。

公开(公告)号：CN110735124A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910640099.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋雄一 ,  田中雅之

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置、原料供给装置以及成膜方法，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原料，并对该低蒸气压原料进行加热；第一气体配管，其用于向所述原料容器供给所述载气；第二气体配管，其用于将所述原料容器与所述处理容器连接；开闭阀，其设置于所述第二气体配管；以及测定部，其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量，其中，所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上，所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。

公开(公告)号：CN1788106B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480013128.6

申请日：2004-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中雅之 ,  甲斐亘三 ,  村上诚志 ,  宫下哲也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。

公开(公告)号：CN101250692B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810081713.X

申请日：2008-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 窪田光真 ,  田中雅之 ,  小泉雅人

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供一种处理容器的大气开放方法，能够使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该方法为，在反复多次进行第一操作后，反复多次进行第二操作，其中，所述第一操作为：向处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的水分反应，之后进行排气；所述第二操作为：向处理容器内导入大气并进行排气，将主要在第一操作中生成的反应生成物排出。利用该方法，当在处理容器内形成有由金属氟化物构成的副生成物时，能够几乎不产生HF等有毒气体而使处理容器向大气开放。

公开(公告)号：CN101250692A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810081713.X

申请日：2008-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 窪田光真 ,  田中雅之 ,  小泉雅人

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供一种处理容器的大气开放方法，能够使在其中进行规定处理而附着有金属氟化物的处理容器向大气开放，该方法为，在反复多次进行第一操作后，反复多次进行第二操作，其中，所述第一操作为：向处理容器内导入大气，并保持充分的时间以使金属氟化物与大气中的水分反应，之后进行排气；所述第二操作为：向处理容器内导入大气并进行排气，将主要在第一操作中生成的反应生成物排出。利用该方法，当在处理容器内形成有由金属氟化物构成的副生成物时，能够几乎不产生HF等有毒气体而使处理容器向大气开放。

公开(公告)号：CN1788106A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200480013128.6

申请日：2004-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中雅之 ,  甲斐亘三 ,  村上诚志 ,  宫下哲也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。