公开(公告)号：CN101074473A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710100607.7

申请日：2007-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 小林义之 ,  村上贵宏 ,  原田良夫 ,  竹内纯一 ,  山崎良 ,  小林启悟

IPC: C23C4/10 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  B32B5/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。

公开(公告)号：CN101074473B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710100607.7

申请日：2007-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 小林义之 ,  村上贵宏 ,  原田良夫 ,  竹内纯一 ,  山崎良 ,  小林启悟

IPC: C23C4/10 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  B32B5/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。

公开(公告)号：CN101504927B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200910005187.3

申请日：2009-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木隆司 ,  安田要 ,  山崎良

IPC: H01L21/683 ,  C23C4/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。

公开(公告)号：CN101504927A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910005187.3

申请日：2009-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木隆司 ,  安田要 ,  山崎良

IPC: H01L21/683 ,  C23C4/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。

公开(公告)号：CN104272450B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201380023475.6

申请日：2013-03-22

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 山崎良 ,  稻叶光晴 ,  田口研良

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C4/01 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00

Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法，其不存在采用粘接剂的场合的缺陷，并且设计自由度高。一种静电夹具(1)，包括：基材部(2)，其构成夹具主体；第1绝缘层(3)，其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成；加热部(4)，其由导电体构成，该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上；第2绝缘层(5)，其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成；电极部(6)，其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成；以及电介体层(7)，其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成，该静电夹具(1)不采用粘接剂，降低了加热部(4)的体积电阻率。

公开(公告)号：CN104272450A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023475.6

申请日：2013-03-22

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 山崎良 ,  稻叶光晴 ,  田口研良

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C4/01 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00

Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法，其不存在采用粘接剂的场合的缺陷，并且设计自由度高。一种静电夹具(1)，包括：基材部(2)，其构成夹具主体；第1绝缘层(3)，其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成；加热部(4)，其由导电体构成，该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上；第2绝缘层(5)，其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成；电极部(6)，其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成；以及电介体层(7)，其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成，该静电夹具(1)不采用粘接剂，降低了加热部(4)的体积电阻率。