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公开(公告)号：CN101074473A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN104272450B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201380023475.6
申请日：2013-03-22
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法，其不存在采用粘接剂的场合的缺陷，并且设计自由度高。一种静电夹具(1)，包括：基材部(2)，其构成夹具主体；第1绝缘层(3)，其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成；加热部(4)，其由导电体构成，该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上；第2绝缘层(5)，其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成；电极部(6)，其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成；以及电介体层(7)，其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成，该静电夹具(1)不采用粘接剂，降低了加热部(4)的体积电阻率。
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公开(公告)号：CN104272450A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023475.6
申请日：2013-03-22
Applicant: 东华隆株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种静电夹具和静电夹具的制造方法，其不存在采用粘接剂的场合的缺陷，并且设计自由度高。一种静电夹具(1)，包括：基材部(2)，其构成夹具主体；第1绝缘层(3)，其由形成于基材部(2)的表面(2a)上的喷镀覆膜构成；加热部(4)，其由导电体构成，该导电体通过涂敷导电性糊的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上；第2绝缘层(5)，其由按照覆盖加热部(4)的方式形成于第1绝缘层(3)的表面(3a)上的喷镀覆膜构成；电极部(6)，其通过喷镀于第2绝缘层(5)的表面(5a)上形成；以及电介体层(7)，其由按照覆盖电极部(6)的方式形成于第2绝缘层(5)的表面(5a)上的喷镀覆膜构成，该静电夹具(1)不采用粘接剂，降低了加热部(4)的体积电阻率。
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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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